日本京都大學(xué)教授Naoki SHINOHARA:太陽(yáng)能衛(wèi)星及相關(guān)波束無(wú)線(xiàn)電力傳輸技術(shù)的最新研發(fā)進(jìn)展
播放:1065
西安電子科技大學(xué)王鵬飛;雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場(chǎng)線(xiàn)性度的多指漏極板研究
播放:955
昂瑞微電子副總經(jīng)理黃鑫:國(guó)產(chǎn)突破,中國(guó)射頻前端產(chǎn)業(yè)引領(lǐng)5G 芯時(shí)代
播放:1029
山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員崔鵬:電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs
播放:1093
中國(guó)電科十三所正高級(jí)工程師杜鵬搏:47GHz-52GHz功率放大器芯片套片設(shè)計(jì)
播放:986
南京理工大學(xué)副教授黃同德:28GHz氮化鎵基時(shí)間調(diào)制波束成形系統(tǒng)
播放:1078
能訊高能半導(dǎo)體副總裁裴軼:氮化鎵推動(dòng)5G、射頻能源及其他領(lǐng)域的創(chuàng)新
播放:1070
復(fù)旦大學(xué)教授黃偉:寬帶GaN毫米波新器件研究
播放:914
國(guó)博電子副總經(jīng)理錢(qián)峰:5G移動(dòng)通信用化合物器件研究
播放:896
澳大利亞麥考瑞大學(xué)教授Sourabh KHANDELWAL:Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM
播放:781
西交利物浦大學(xué)朱昱豪:35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動(dòng)降壓轉(zhuǎn)換器
播放:718
中科院寧波材料所戴貽鈞:無(wú)等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
播放:686
中科院蘇州納米所助理研究員鐘耀宗:功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法
播放:721
中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員胡衛(wèi)國(guó):AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制
播放:991
電子科技大學(xué)博士陳匡黎: p-GaN Gate HEMT器件閾值穩(wěn)定性及其機(jī)理
播放:799
美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授張宇昊:中高壓(1-10 kV)氮化鎵功率器件新進(jìn)展
播放:1543
潤(rùn)新微電子副總經(jīng)理王榮華:后快充時(shí)代的氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化
播放:653
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2025中國(guó)光谷國(guó)際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE2025)
武漢 ? 2025-04-23
2024功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇(活動(dòng)延期,時(shí)間待定)
重慶 ? 2024-12-26
首屆南昌國(guó)際半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展論壇
南昌 ? 2024-09-27
2024南昌國(guó)際半導(dǎo)體光電技術(shù)與顯示應(yīng)用博覽會(huì)
南昌 ? 2024-09-27
第六屆先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展 (CASTAS 2024 )
蘇州 ? 2024-11-18