亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

返回主站|會員中心|手機瀏覽
普通會員

新銳晶科技有限公司

電驅動碳化硅SiC模塊,EV Driver SiC MOSFET,定制IGBT模塊,汽車IGBT模塊,電動汽...

公司介紹
產(chǎn)品分類
  • 暫無分類
站內(nèi)搜索
 
友情鏈接
  • 暫無鏈接
公司介紹

 專業(yè)分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半導體碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,BASiC 混合IGBT單管,BASiC 混合IGBT模塊,BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于雙向AC-DC電源,能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器,變換效率高,儲能變流器碳化硅SiC功率MOSFET,單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片(帶VCE保護)BTD3011, 基本半導體混合IGBT模塊被廣泛應用于新能源領域,醫(yī)療電源,X射線高壓電源,大功率高頻高速變頻器,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器,實現(xiàn)直流升壓降壓轉換,儲能PCS-Buck-Boost電路,高壓側接入PV直流側,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲,低壓側接電池組。

 

基本半導體全碳化硅MOSFET模塊,F(xiàn)ull SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超級充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(wǎng)(HVDC),空調熱泵驅動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅動器,高速電機變頻器,MRI醫(yī)療電源等. 光伏逆變器專用對稱拓撲和飛跨電容拓撲直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。

 

汽車級全碳化硅功率模塊是基本半導體為新能源汽車主逆變器應用需求而研發(fā)推出的系列功率模塊產(chǎn)品,包括半橋MOSFET模塊Pcore™2、三相全橋MOSFET模塊Pcore™6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell™等,采用銀燒結技術等基本半導體最新的碳化硅 MOSFET 設計生產(chǎn)工藝,綜合性能達到國際先進水平,通過提升動力系統(tǒng)逆變器的轉換效率,進而提高新能源汽車的能源效率和續(xù)航里程。高功率密度,高可靠性,高工作結溫,低熱阻,低雜散電感。

Pcore™2系列模塊BMF600R12MCC4,BMF400R12MCC4具有低開關損耗、可高速開關、降低溫度依賴性、高可靠性(高于AQG-324參考標準)等特點,結溫可達175℃,與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸,可在一定程度上代替相同封裝的IGBT模塊,從而有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期,提高工作效率。

Pcore™6系列模塊BMS600R12HWC4,BMS400R12HWC4,BMS700R08HWC4,BMS450R08HWC4是一款非常緊湊的功率模塊,專為混合動力和電動汽車提升效率應用而設計,使用氮化硅AMB絕緣基板、用于直接流體的銅基PinFin基板、多信號監(jiān)控的感應端子(焊接、壓接兼容)設計,具有低損耗、高阻斷電壓、低導通電阻、高電流密度、高可靠性(高于AQG-324參考標準)等特點。

Pcell™系列模塊BMF600R12PC4,BMF400R12PC4,BMF700R08PC4,BMF450R08PC4采用基本半導體設計的獨有封裝形式,采用銀燒結和DTS技術,大大提升了模塊的功率密度,讓碳化硅材料特性得以充分發(fā)揮,使得產(chǎn)品具有高功率密度、低雜散電感(小于5nH)、高阻斷電壓、低導通電阻(小于2mΩ)、結溫高達175℃等特點,非常適合于高效、高功率密度應用領域。

 

基本半導體混合SiC功率模塊 Hybrid SiC Module主要特點: 1.與普通IGBT模塊相比,混合SiC模塊可大幅降低FRD的開關損耗與 IGBT 的開通損耗,有助于電力電子設備的降低功率損耗。不同應用條件下總損耗可以

降低20~40%。相對全SiC模塊,性價比更高。

2.可以顯著提高功率模塊開關頻率。因此有助于縮減輸出濾波電感電容等周邊元器件的規(guī)格成本,實現(xiàn)整機的小型化、在現(xiàn)有系統(tǒng)的不變的情況下,將普通IGBT模塊更換為混合SiC模塊實現(xiàn)更大的輸出功率。

3.多種電流及封裝規(guī)格,半橋結構。EconoDUAL™ 3 Hybrid SiC Module:300A,450A,600A,800A 1200V 62mm STD 2in1 :300A,450A,600A,800A 1200V

典型應用:測試電源-直流源,除塵電源,等離子切割,電源醫(yī)療電源CT, MRI,軌道交通輔助電源

公司檔案
公司名稱: 新銳晶科技有限公司 公司類型: 企業(yè)單位 ()
所 在 地: 上海/徐匯區(qū) 公司規(guī)模:
注冊資本: 未填寫 注冊年份: 2017
資料認證:
保 證 金: 已繳納 0.00
經(jīng)營范圍: 電驅動碳化硅SiC模塊,EV Driver SiC MOSFET,定制IGBT模塊,汽車IGBT模塊,電動汽車碳化硅模塊,國產(chǎn)SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模塊,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,I型三電平SiC模塊,T型三電平SiC模塊,IGBT模塊,英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,安森美SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,ST碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅國產(chǎn)替代
銷售的產(chǎn)品: 英飛凌IGBT國產(chǎn)替代,英飛凌碳化硅模塊國產(chǎn)替代,三菱IPM國產(chǎn)替代,賽米控IGBT國產(chǎn)替代,安森美IGBT國產(chǎn)替代,Vincotech三電平IGBT模塊國產(chǎn)替代,F(xiàn)UJI富士IGBT-IPM國產(chǎn)替代,FUJI富士X系列IGBT模塊國產(chǎn)替代,熱泵驅動SiC MOSFET,Hybrid SiC Module,混合IGBT模塊,混合碳化硅功率模塊,Full SiC Module,62mm Hybrid SiC Module,混合型SiC模塊,混合SiC模塊,功率半導體,IGBT 混合型SiC模塊,EconoD
采購的產(chǎn)品: 儲能變流器碳化硅MOSFET,定制IGBT模塊,汽車IGBT模塊,光伏逆變器IGBT,SiC MOSFET,分立IGBT,混合IGBT模塊,混合三電平SiC-IGBT模塊,光伏逆變器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT單管,混合IGBT單管,國產(chǎn)SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,國產(chǎn)SiC MOSFET模塊,SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊,混合SiC-IGBT模塊,BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管,分立碳化硅MOSFET,國產(chǎn)TO2
主營行業(yè):
默認
0條  相關評論
管理入口| 返回頂部 ©2025 新銳晶科技有限公司 版權所有   技術支持:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)   訪問量:578