BASiC™基半股份一級代理商傾佳電子楊茜全力推進SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊，實現(xiàn)電力電子產(chǎn)業(yè)升級和自主可控！

為什么在儲能變流器PCS應用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命！

IGBT模塊在十幾 kHz開關頻率中就會表現(xiàn)出嚴重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運行，開關損耗相對較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術進步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運行并可能延長組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲能變流器開關損耗降低高達 70% 至 80%，在儲能變流器PCS應用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命。

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET單管及模塊替代升級IGBT單管及模塊已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

學習匯川技術，咬住必然，勇立潮頭！國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住三個必然，勇立功率器件變革潮頭：

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊的必然趨勢！

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管革掉IGBT單管的必然趨勢！

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管革掉SJ超結MOSFET的必然趨勢！

相較于傳統(tǒng)封裝形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導體的通流能力可以提升約40%，或者同樣電流輸出使用的半導體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下，功率模塊物料成本有望降低20%。PCB布局設計相對于傳統(tǒng)封裝設計更加靈活，大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度。受到封裝限制而難以在傳統(tǒng)逆變器中實現(xiàn)的高級電路拓撲，如三電平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢而加速了產(chǎn)業(yè)化落地。

根據(jù)技術和商業(yè)評估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項非常有前景的封裝技術，有望在在單位功率成本、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠遠超越傳統(tǒng)封裝，成為未來電力電子應用的新方向。

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)多場站級自同步幅頻調制技術，實現(xiàn)了自同步的并聯(lián)構網(wǎng)，提升了主動快速無功響應、有功支撐、故障穿越、抗沖擊性負荷和帶載同步黑啟動的能力，實現(xiàn)了多場景全工況構網(wǎng)、電網(wǎng)主動支撐、并機環(huán)流有效抑制和多場站級大規(guī)模自同步穩(wěn)定運行。

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)寬頻自穩(wěn)和致穩(wěn)控制技術，實現(xiàn)了不同電網(wǎng)規(guī)模、不同電網(wǎng)強度條件下的穩(wěn)定并網(wǎng)和寬頻振蕩抑制，提升了與光伏、風電、同步發(fā)電機等多類型電源并列穩(wěn)定運行的能力，拓展了構網(wǎng)型儲能系統(tǒng)的應用場景。

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)智能組串式儲能雙級變換架構下電壓與有功功率解耦控制技術，有助于支撐電網(wǎng)穩(wěn)定，保障了儲能系統(tǒng)安全，提升了儲能系統(tǒng)可用度和擴容升級能力；研發(fā)了精細化智能電池管理技術，提升了全SOC范圍恒功率輸出能力。

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)了暫態(tài)高倍率有功、無功快速支撐。提升了在復雜、惡劣環(huán)境條件下的長時間可靠運行能力；構建了安全可靠的底層核心器件設計、制造的能力體系。

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結溫低于最大規(guī)定值。

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。