隨著數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車 (EV)、儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)、不間斷電源 (UPS) 和便攜式電源市場需求的不斷增加,對(duì)于更高效率電源解決方案的要求也在不斷提高。
由美國聯(lián)邦政府支持的能源之星ENERGY STAR? 計(jì)劃,提供一種簡單而公正的方法來評(píng)估多種電氣產(chǎn)品的能效,包括計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心設(shè)備、電器、辦公設(shè)備、供暖和制冷以及許多建筑產(chǎn)品。多家《財(cái)富》500 強(qiáng)公司遵循美國環(huán)境保護(hù)署 (EPA) 的準(zhǔn)則生產(chǎn)高能效產(chǎn)品,以改善環(huán)境,包括空氣質(zhì)量等。據(jù)估計(jì),僅 2017 年一年,經(jīng)能源之星 ENERGY STAR 認(rèn)證的產(chǎn)品就節(jié)約了超過 300 億美元。
與此同時(shí),最初的 80 PLUS? 計(jì)劃促進(jìn)了計(jì)算機(jī)電源實(shí)現(xiàn)至少 80% 的效率。那么,低效率的電源又會(huì)帶來什么呢?浪費(fèi)的能量將轉(zhuǎn)化為熱量。為了滿足數(shù)量不斷增長的數(shù)據(jù)中心的需求,繼80 PLUS之后又推出了 80 PLUS Titanium標(biāo)準(zhǔn),要求電源實(shí)現(xiàn)高達(dá) 96% 的效率。由于其高效率要求,80 PLUS Titanium標(biāo)準(zhǔn)成為該計(jì)劃最難獲得認(rèn)證的標(biāo)準(zhǔn)。
許多電源制造商快速推進(jìn),以期滿足這些要求,從而保持競爭力。要實(shí)現(xiàn)提高效率、減少開關(guān)損耗并縮小整體尺寸的目標(biāo),則需要攻克很多設(shè)計(jì)難題。
設(shè)計(jì)需要進(jìn)行哪些權(quán)衡,如何實(shí)現(xiàn)優(yōu)化?
設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
設(shè)計(jì)在400V 范圍內(nèi)高效率AC/DC電源的目標(biāo)包括:
滿足能源標(biāo)準(zhǔn)的明確途徑
實(shí)現(xiàn)緊湊尺寸
降低總體成本
實(shí)現(xiàn)高效熱管理
盡可能降低電磁干擾
這些高大上的目標(biāo)說起來容易做起來難。而若要滿足能源之星 ENERGY STAR 和 80 PLUS Titanium 等能源標(biāo)準(zhǔn),則更具挑戰(zhàn)性。
沒有可達(dá)到 100% 效率的電源設(shè)計(jì)。如今,大多數(shù)開關(guān)電源可實(shí)現(xiàn)約 94% 至 95% 的效率,剩下的 5% 則轉(zhuǎn)化為熱量形式的損耗。據(jù)估計(jì),效率提高 1% 等于散熱減少 10%。這意味著高效率電源將只需要較小的散熱器和較小的組件,例如電磁線圈和電容器。因此整體產(chǎn)品尺寸也將更小。更重要的是,總系統(tǒng)成本也會(huì)降低。那么,制造商們該如何突破效率屏障呢?
突破效率屏障
Wolfspeed 先前推出了第六代肖特基二極管,實(shí)現(xiàn)更高水平的系統(tǒng)效率,從而確立了其在 650V 碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。Wolfspeed 這次推出了第三代 15-mΩ 和 60-mΩ(25°C 條件下的導(dǎo)通電阻RDS(on))650V MOSFET 以繼續(xù)保持領(lǐng)先地位。新款產(chǎn)品進(jìn)一步利用了碳化硅的優(yōu)勢,可降低開關(guān)損耗,提高功率效率和功率密度。
新款器件 C3M0015065D、C3M0015065K、C3M0060065D、C3M0060065J 和 C3M0060065K 符合在–40°C 至 175°C 溫度范圍內(nèi)運(yùn)行的要求,并提供通孔型(TO-247-3、TO-247-4)和表面貼裝(TO-263-7)封裝。
降低損耗的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是低導(dǎo)通電阻。電阻越高,則導(dǎo)通損耗和以熱量形式的能量浪費(fèi)就會(huì)越多。Wolfspeed 新型 MOSFET 采用分立封裝,在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi),提供業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。其中 60-mΩ MOSFET 的額定 RDS(on) 在 175°C 時(shí)僅為 79 mΩ,可實(shí)現(xiàn)99%功率效率。
新款器件同時(shí)擁有超低反向恢復(fù)電荷 (Qrr),其中60-mΩ MOSFET 的反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 僅為 62 nC。與采用硅基的硬開關(guān)應(yīng)用相比,將顯著降低開關(guān)損耗。這又將實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率,從而減小系統(tǒng)中的變壓器、電感器、電容器和其他被動(dòng)元件的尺寸和重量。
為了減少寄生電容增加開關(guān)頻率也會(huì)增加開關(guān)損耗的擔(dān)憂,Wolfspeed 實(shí)現(xiàn)了低很多的器件寄生電容,其中 60-mΩ 型號(hào)的小信號(hào)輸出電容 Coss 僅為 80 pF,而 15-mΩ 型號(hào)的僅為 289 pF。
連鎖效應(yīng)
效率的提升,將如何影響電源單元 PSU 的電路設(shè)計(jì)和物料清單 BOM 成本:
更有效的熱管理將可以帶來更小尺寸的散熱器,從而減小電源單元 PSU 的重量和尺寸。
可以采用更小尺寸和更少數(shù)量的元件,從而降低電源單元 PSU 的物料清單 BOM 成本。
高功率效率助力滿足電源單元 PSU 的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(能源之星 ENERGY STAR 和 80 PLUS Titanium)。
降低整個(gè)電源單元 PSU 的系統(tǒng)成本,更輕松地實(shí)現(xiàn)利潤目標(biāo)。
更高的功率效率將如何減少所使用元件的尺寸和數(shù)量。較高的頻率值等于 L 和 C 的較小值,即較小的電磁線圈和電容器。更高的功率效率(近 99%)有助于電源單元 PSU 達(dá)到 80 PLUS Titanium標(biāo)準(zhǔn)的要求,從而使得整個(gè)數(shù)據(jù)中心的總體擁有成本更低。
如何疊加Wolfspeed C3M SiC 650V MOSFET 系列優(yōu)勢?
與業(yè)內(nèi) 650V 硅基 MOSFET 相比,Wolfspeed 可使得導(dǎo)通損耗降低達(dá) 50%,開關(guān)損耗降低達(dá) 75%,并且體二極管中的反向恢復(fù)電荷幾乎為零。
與硅基氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 相比,Wolfspeed 可以降低50%以上導(dǎo)通損耗,并且碳化硅 MOSFET 技術(shù)具有更高的現(xiàn)場驗(yàn)證可靠性。
最后,與其他碳化硅 (SiC) MOSFET 解決方案相比,Wolfspeed 在 650V 碳化硅 (SiC) MOSFET 類別中具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻,并且在溫度范圍內(nèi)的導(dǎo)通電阻變化最小,從而進(jìn)一步簡化了系統(tǒng)的熱管理。
獲取參考設(shè)計(jì)支持
Wolfspeed 為器件產(chǎn)品提供廣泛的支持,其中包括參考設(shè)計(jì)。新款 MOSFET 也不例外。對(duì)于上面所討論的數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源應(yīng)用,公司的全球應(yīng)用工程團(tuán)隊(duì)開發(fā)了 2.2 kW AC/DC PFC參考設(shè)計(jì),在圖騰柱拓?fù)渲胁捎肅3M0060065K 60mW MOSFET。而這是硅基方案在不權(quán)衡妥協(xié)其復(fù)雜性和元件數(shù)量的前提下所無法實(shí)現(xiàn)的。
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關(guān)于英文原稿,敬請瀏覽:
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關(guān)于科銳
科銳是Wolfspeed功率和射頻(RF)半導(dǎo)體、照明級(jí)LED的創(chuàng)新者??其JWolfspeed產(chǎn)品組合包括了碳化硅(SiC)材料、功率器件、射頻器件,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(EV)、快速充電、逆變器、電源、電信、軍事、航空航天等領(lǐng)域??其JLED產(chǎn)品組合包括了藍(lán)光和綠光LED芯片、高亮度LED和照明級(jí)大功率LED,廣泛應(yīng)用于室內(nèi)和戶外照明、顯示屏、交通、特種照明等領(lǐng)域。更多關(guān)于產(chǎn)品和公司信息,敬請瀏覽:www.cree.com。