深科技發(fā)布2020年度非公開發(fā)行A股股票預案，公司擬非公開發(fā)行不超89,328,225股股票，募資不超171,000萬元，扣除發(fā)行費用后將全部用于存儲先進封測與模組制造項目。

據披露，存儲先進封測與模組制造項目總投資306,726.40萬元，其中建設投資296,471.17萬元，鋪底流動資金10,255.23萬元。項目建設周期為36個月，主要建設內容為：

（1）DRAM存儲芯片封裝測試業(yè)務，計劃全部達產后月均產能為4,800萬顆

（2）存儲模組業(yè)務，計劃全部達產后月均產能為246萬條模組

（3）NANDFlash存儲芯片封裝業(yè)務，計劃全部達產后月均產能為320萬顆
 

本項目技術來源于沛頓科技自主研發(fā)與長期積累，沛頓科技存儲芯片封裝制程采用的是當前高端產品的主流技術，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系統(tǒng)級SiP封裝技術等，現(xiàn)有產品已實現(xiàn)多達16層的多晶堆疊技術，最大單顆芯片容量可達到256G。
 

沛頓科技具備DDR4封裝和測試技術，采用的BGA、LGA等封裝技術優(yōu)勢明顯，產品合格率高，交貨周期快，產品質量穩(wěn)定，領先于國內其他競爭對手；沛頓科技的日本研發(fā)團隊開發(fā)測試方案和程式，提供定制化服務的支持，技術工藝競爭優(yōu)勢明顯。
 

深科技表示，隨著本次募投項目的實施，有利于打破國內存儲器領域對進口產品的依賴和技術壁壘，加速存儲器國產化替代進程，提升國產存儲器芯片的產業(yè)規(guī)模，促進我國存儲器產業(yè)鏈發(fā)展。
 

本項目實施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲芯片封測以及DRAM內存模組制造業(yè)務，有助于國內存儲器芯片封測的深度國產化。公司根據客戶整體產能建設的需要，契合客戶業(yè)務布局，對公司建立長期穩(wěn)定的客戶關系起到積極作用?？蛻舢a能的逐步提升將直接帶動公司集成電路封測業(yè)務的訂單增加。本次募投項目實施后的新增產能加上公司現(xiàn)有產能，將為存儲器芯片國產化提供保障。