其中，高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，總投資金額20億元，擬通過新建廠房及倉庫等配套設(shè)施，購置光刻機、顯影機、刻蝕機、 PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項目達產(chǎn)后，預計將形成年產(chǎn) 36 萬片功率半導體芯片的生產(chǎn)能力。據(jù)介紹，項目實施主體為公司全資子公司嘉興斯達微電子有限公司，計劃建設(shè)周期為3年。

 

功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目，總投資金額7億元，擬利用現(xiàn)有廠房實施生產(chǎn)線自動化改造項目，購置全自動劃片機、在線式全自動印刷機、在線式全自動貼片機、在線式全自動真空回流爐、在線式全自動清洗機等設(shè)備，實施功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目。項目達產(chǎn)后，預計將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導體模塊的生產(chǎn)能力。該項目實施主體為嘉興斯達半導體股份有限公司，計劃建設(shè)周期為3年。

斯達半導體表示，公司長期致力于IGBT、快恢復二極管、SiC等功率芯片的設(shè)計和工藝以及IGBT、SiC等功率模塊的設(shè)計、制造和測試。公司的產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。公司在現(xiàn)有產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，充分考慮新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等下游行業(yè)的需求以及技術(shù)方向，以公司現(xiàn)有的技術(shù)為依托，實施高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目。項目的實施有利于豐富公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，進一步提升公司綜合競爭力。

公司是國內(nèi)IGBT行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，生產(chǎn)的IGBT模塊、SiC模塊已獲得包括新能源汽車客戶在內(nèi)的眾多客戶認可，進口替代比率持續(xù)提高。同時，隨著新能源汽車、新能源發(fā)電等行業(yè)的需求拉動，以IGBT模塊為代表的功率半導體模塊呈現(xiàn)供不應求的局面。實施以IGBT、SiC模塊為主的功率半導體模塊生產(chǎn)線自動化改造項目，將進一步擴大公司產(chǎn)能，有助于企業(yè)把握市場機遇，提高市場占有率。

本次非公開發(fā)行股票募集資金部分用于補充流動資金，有利于緩解公司的資金壓力，推進公司業(yè)務(wù)規(guī)模的拓展，保障了公司研發(fā)創(chuàng)新及業(yè)務(wù)擴張等活動的持續(xù)正常開展，可進一步優(yōu)化公司的財務(wù)結(jié)構(gòu)，有利于降低公司財務(wù)風險，提高公司的償債能力和抗風險能力，保障公司的持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展。