半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。根據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)芯片屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品，占比集成電路產(chǎn)值近30%，受摩爾定律的支配，整體行業(yè)技術(shù)發(fā)展極快。在技術(shù)進(jìn)步的推動(dòng)下，存儲(chǔ)器下游產(chǎn)品容量需求提升迅速以及新興應(yīng)用市 場(chǎng)不斷被開辟，長期來看，存儲(chǔ)器行業(yè)整體呈現(xiàn)高成長特性。
3月4日，深圳長城開發(fā)科技股份有限公司在投資者關(guān)系活動(dòng)中發(fā)布相關(guān)信息。其中，公司計(jì)劃募集不超過17.10億元建設(shè)存儲(chǔ)先進(jìn)封測(cè)與模組制造項(xiàng)目。
項(xiàng)目由合肥沛頓存儲(chǔ)科技有限公司實(shí)施，項(xiàng)目預(yù)計(jì)百億投資，目前啟動(dòng)的一期投資30.67億元，建設(shè)內(nèi)容包括：（1）DRAM 存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，計(jì)劃全部達(dá)產(chǎn)后月均產(chǎn)能為4,800萬顆；（2）存儲(chǔ)模組業(yè)務(wù)，計(jì)劃全部達(dá)產(chǎn)后月均產(chǎn)能為 246 萬條模組；（3）NAND Flash存儲(chǔ)芯片封裝業(yè) 務(wù)，計(jì)劃全部達(dá)產(chǎn)后月均產(chǎn)能為 320 萬顆。建設(shè)期3年，預(yù)計(jì)全面達(dá)產(chǎn)后 可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值28.63億元，項(xiàng)目稅后內(nèi)部收益率為15.22%。
公司擬向不超過35名特定對(duì)象發(fā)行不超過8933萬股（不超過發(fā)行前公 司股本總數(shù)的6.07%）募資總額不超過17.10億元，作為沛頓科技向沛頓存儲(chǔ)的出資資金，沛頓科技將以自有資金繳付首期出資款，待公司收到非公開發(fā)行股份募集資金后再予以置換。
據(jù)悉，技術(shù)來源于公司全資子公司沛頓科技自主研發(fā)與長期積累，是國內(nèi)最大的 DRAM和Flash存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試企業(yè)之一。其存儲(chǔ)芯片封裝制程采用的是當(dāng)前高端產(chǎn)品的主流技術(shù)，具備多層堆疊技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)封裝、倒裝FCBGA技術(shù)等，現(xiàn)有產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)多達(dá)16層的多晶堆疊技術(shù)，最大單顆芯片容量可達(dá)到256G。
目前，沛頓科技主要從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（DRAM）、閃存（Flash）芯片、嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品、SSD和指紋邏輯芯片的封裝和測(cè)試業(yè)務(wù)，目前主要為 wBGA、DDR3、DDR4，eMCP、USB、SSD閃存芯片以及指紋邏輯芯片等提供封測(cè)服務(wù)，是國內(nèi)唯一具有從高端DRAM/Flash/SSD存儲(chǔ)芯片封測(cè)到模組、成品生產(chǎn)完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。
項(xiàng)目實(shí)施后，可滿足客戶較大需求的DRAM、Flash存儲(chǔ)芯片封測(cè)以 及DRAM內(nèi)存模組制造業(yè)務(wù)，有助于國內(nèi)存儲(chǔ)器芯片封測(cè)的深度國產(chǎn)化。隨著本次募投項(xiàng)目的實(shí)施，有利于打破國內(nèi)存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)M(jìn)口產(chǎn)品的依賴和 技術(shù)壁壘，加速存儲(chǔ)器國產(chǎn)化替代進(jìn)程，提升國產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)業(yè)規(guī)模， 促進(jìn)我國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
(第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)整理)
