近日，安徽省人民政府印發(fā)了《安徽省2021年重點(diǎn)項(xiàng)目投資計(jì)劃》，納入計(jì)劃的項(xiàng)目總數(shù)達(dá)7851個(gè)，年度計(jì)劃投資1.48萬(wàn)億元。其中，續(xù)建項(xiàng)目4941個(gè)，計(jì)劃開工項(xiàng)目2910個(gè)。全年計(jì)劃竣工項(xiàng)目1392個(gè)。

 

2021年，安徽省在重點(diǎn)項(xiàng)目安排上，聚焦重大科技基礎(chǔ)設(shè)施、大數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺(tái)等建設(shè)，促進(jìn)科技創(chuàng)新勢(shì)能轉(zhuǎn)化為經(jīng)濟(jì)發(fā)展新動(dòng)能，共安排項(xiàng)目215個(gè)，年度計(jì)劃投資427.48億元。

 

在投資計(jì)劃表名單中，涵蓋了多個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，以下是部分項(xiàng)目介紹：

 

· 12吋晶圓驅(qū)動(dòng)芯片制造項(xiàng)目：

總投資128.10億元，總建筑面積20.1萬(wàn)平方米，建設(shè)生產(chǎn)廠房、綜合樓、化學(xué)品庫(kù)、倉(cāng)庫(kù)、廢水處理站生產(chǎn)線，形成年產(chǎn)150納米LCD驅(qū)動(dòng)IC3.5萬(wàn)片、90納米小尺寸驅(qū)動(dòng)IC0.5萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，目前3萬(wàn)片產(chǎn)能，2021年計(jì)劃將產(chǎn)能提升至5萬(wàn)片。

· 集成電路產(chǎn)業(yè)鏈配套項(xiàng)目：

總投資30.7億元，項(xiàng)目主要從事集成電路封測(cè)以及模組組裝業(yè)務(wù)，達(dá)產(chǎn)后將形成月產(chǎn)能12萬(wàn)片的DRAM及1600萬(wàn)顆4DNAND封測(cè)能力。

 

· 晶圓凸塊封裝測(cè)試基地項(xiàng)目：

總投資24億元，總建筑面積3萬(wàn)平方米，月產(chǎn)3萬(wàn)片12吋晶圓、5萬(wàn)片8吋晶圓。其中：一期月產(chǎn)1.2萬(wàn)片12吋晶圓及3萬(wàn)片8吋晶圓。

 

· 第三代功率半導(dǎo)體(碳化硅)產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目：

總投資21億元，總建筑面積8萬(wàn)平方米，主要建設(shè)廠房、輔助用房，購(gòu)置晶體生長(zhǎng)爐、原料合成爐測(cè)試設(shè)備、超凈室、研發(fā)設(shè)備等先進(jìn)設(shè)備。

 

· 捷敏半導(dǎo)體IC電源管理器件生產(chǎn)線項(xiàng)目：

總投資16億元，建筑面積約2.8萬(wàn)平方米，引進(jìn)進(jìn)口雙頭鋁線鍥焊機(jī)、自動(dòng)塑封模壓機(jī)、半導(dǎo)體器件測(cè)試儀等設(shè)備，配套國(guó)內(nèi)先進(jìn)設(shè)備，從事半導(dǎo)體IC電源管理器件的封裝生產(chǎn)，項(xiàng)目建成后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)半導(dǎo)體IC電源管理器件26.2億顆。

 

· 上達(dá)柔性集成電路封裝基板COF生產(chǎn)項(xiàng)目：

總投資20億元，總建筑面積約6.46萬(wàn)平方米，主要建設(shè)生產(chǎn)廠房、綜合樓和宿舍樓，購(gòu)置國(guó)內(nèi)外柔性集成電路封裝基板生產(chǎn)設(shè)備及配套附屬設(shè)施等，單面卷帶COF基板15KK/月，雙面卷帶COF基板15KK/月。

 

· ITO靶材及其它薄膜材料研發(fā)及生產(chǎn)項(xiàng)目：

總投資15億元，總建筑面積8萬(wàn)平方米，建設(shè)廠房4棟，2F辦公綜合樓1棟，門衛(wèi)室1間，并配套建設(shè)消防、環(huán)保、道路、供配電、給排水等輔助設(shè)施，項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)800噸ITO靶材、750噸太陽(yáng)能靶材和1478.4噸其它種類薄膜材料的生產(chǎn)能力。

 

· 顯示驅(qū)動(dòng)芯片COF卷帶生產(chǎn)項(xiàng)目：

總投資12.7，總建筑面積6萬(wàn)平方米，建設(shè)主樓、廠房、動(dòng)力站、化學(xué)品庫(kù)及倉(cāng)庫(kù)，建設(shè)3條中國(guó)大陸最大的半導(dǎo)體顯示芯片封裝COF卷帶生產(chǎn)線，形成月加工70KK卷帶的生產(chǎn)能力。

 

· 鑫豐科技存儲(chǔ)器封測(cè)項(xiàng)目：

總投資5.5億元，建設(shè)存儲(chǔ)器封測(cè)基地。

 

· 集成電路關(guān)鍵工藝材料項(xiàng)目：

總投資3.5億元，總建筑面積5萬(wàn)平方米，計(jì)劃建設(shè)廠房、辦公樓、倉(cāng)庫(kù)、動(dòng)力站及三廢車間等相關(guān)配套設(shè)施，項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)集成電路制造和封裝的關(guān)鍵材料1.7萬(wàn)噸。

 

· 年產(chǎn)360萬(wàn)片再生晶圓項(xiàng)目：

總投資3.2億元，項(xiàng)目總建筑面積4萬(wàn)平方米，建設(shè)晶圓再生廠房、零部件清洗廠房，配套廠務(wù)系統(tǒng)車間、辦公樓、倉(cāng)庫(kù)等輔助、公用工程，項(xiàng)目建成后將形成每年120萬(wàn)片晶圓再生的能力。

 

· 至純半導(dǎo)體濕法設(shè)備制造項(xiàng)目：

總投資1.8億元，擬新建1棟廠房、1棟辦公樓及相關(guān)附屬設(shè)施,購(gòu)置激光切割機(jī)、磨床、車床、電腦控制系統(tǒng)等設(shè)備，從事半導(dǎo)體核心零部件的制造與加工。項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)半導(dǎo)體核心零部件550件。

 

· MEMS微系統(tǒng)集成工程建設(shè)項(xiàng)目：

總投資10億元，總建筑面積1萬(wàn)平方米，廠房改造，新增購(gòu)置200余臺(tái)套，建設(shè)提升原有產(chǎn)線的產(chǎn)能，形成年產(chǎn)5萬(wàn)片晶圓、4億顆芯片的生產(chǎn)能力。

 

· 集成電路及電子元件封裝測(cè)試項(xiàng)目：

總投資1億元，總建筑面積2.4萬(wàn)平方米，設(shè)計(jì)年產(chǎn)集成電路及電子元件封裝測(cè)試產(chǎn)品5億只。

 

· 半導(dǎo)體封測(cè)邊框生產(chǎn)項(xiàng)目：

總投資25億元，建筑面積25萬(wàn)平方米，新建半導(dǎo)體封裝生產(chǎn)線18條，購(gòu)置關(guān)鍵設(shè)備2500臺(tái)，建設(shè)半導(dǎo)體封測(cè)邊框生產(chǎn)基地。

 

· 順芯第三代化合物半導(dǎo)體中段制程晶圓超薄化與封測(cè)產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)基地項(xiàng)目：

總投資20億元，總建筑面積8萬(wàn)平方米，第一期實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)84萬(wàn)片的晶圓薄化與金屬化生產(chǎn)能力，第二期實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)168萬(wàn)片的晶圓薄化與金屬化生產(chǎn)能力以及100萬(wàn)片的芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)能力。

 

· 安徽微芯SiC單晶襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：

總投資13.5億元，建筑面積3.2萬(wàn)平米，新建廠房包括碳化硅晶體生長(zhǎng)車間、碳化硅晶圓片加工車間等，購(gòu)置主要研發(fā)設(shè)備、檢測(cè)設(shè)備和其他輔助設(shè)備共576臺(tái)（套），年產(chǎn)碳化硅晶圓片4英寸(直徑100mm)3萬(wàn)片、6英寸(直徑150mm)12萬(wàn)片。

 

· 年產(chǎn)50億只集成電路及8億顆功率器件及模組項(xiàng)目：

總投資5.12億元，一期租賃廠房1.6萬(wàn)平方米，購(gòu)置生產(chǎn)線，二期建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房4.5萬(wàn)平方米，年產(chǎn)50億只集成電路及8億顆功率器件及模組。

 

· 晶圓再生制造及半導(dǎo)體零部件制造、精密清洗涂層項(xiàng)目：

總投資2億元，新建4棟共1.5萬(wàn)平方米廠房，建成后形成年產(chǎn)再生晶圓2000萬(wàn)片，再生、制造半導(dǎo)體光電設(shè)備零件500萬(wàn)件、精密清洗涂層200萬(wàn)件的生產(chǎn)能力。

 

· 半導(dǎo)體設(shè)備精密零配件加工制造項(xiàng)目：

總投資1.15億元，租用廠房1-2層3652平方米，購(gòu)置相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備及配套設(shè)施，年產(chǎn)25萬(wàn)件IC封裝模具、IC沖壓模具及IC封測(cè)設(shè)備各種相關(guān)零配件產(chǎn)品。

 

· 年產(chǎn)127億顆新型電子元器件項(xiàng)目：

總投資11億元，租賃廠房面積5萬(wàn)平米，購(gòu)置設(shè)備，建成后形成年產(chǎn)127億顆新型電子元器件的生產(chǎn)力。

 

· 年產(chǎn)2000萬(wàn)件電子元器件及配件項(xiàng)目：

總投資1.05億元，總建筑面積1.3萬(wàn)平方米，購(gòu)置注塑機(jī)、超聲波焊接機(jī)、自動(dòng)裁線機(jī)、端子機(jī)等相關(guān)先進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備51臺(tái)(套），形成年產(chǎn)2000萬(wàn)件電子元器件及配件的生產(chǎn)能力。

 

· 年產(chǎn)100億只高可靠性集成電路芯片先進(jìn)封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：

總投資5億元，總建筑面積2.62萬(wàn)平方米，購(gòu)置晶圓粘片機(jī)、金線鍵合機(jī)等設(shè)備，形成年產(chǎn)100億只高可靠性集成電路芯片的生產(chǎn)能力。

 

· 鄭蒲港新區(qū)富捷半導(dǎo)體被動(dòng)功率器件項(xiàng)目：

總投資5億元，租賃廠房2.4萬(wàn)平方米，建設(shè)厚膜貼片電阻設(shè)計(jì)開發(fā)生產(chǎn)線5條，年產(chǎn)1000億個(gè)被動(dòng)元電子器件。

 

· 新能源汽車IGBT模塊項(xiàng)目：

總投資3億元，新建1條IGBT功率模塊封測(cè)生產(chǎn)線，同時(shí)搭建可靠性及環(huán)境實(shí)驗(yàn)室、IGBT芯片及模塊研發(fā)中心及應(yīng)用測(cè)試平臺(tái)，產(chǎn)線建設(shè)規(guī)模為年產(chǎn)42萬(wàn)只新能源汽車IGBT模塊。

 

· 高端功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)制造項(xiàng)目：

總投資2.23億元，購(gòu)買廠房，購(gòu)置擴(kuò)散爐、自動(dòng)刻蝕機(jī)、自動(dòng)涂布機(jī)等研發(fā)制造設(shè)備約600臺(tái)套，建設(shè)兩條全自動(dòng)化生產(chǎn)線，年產(chǎn)360萬(wàn)片5英寸高端功率半導(dǎo)體芯片。

 

· 先進(jìn)半導(dǎo)體電子應(yīng)用材料項(xiàng)目：

總投資3.2億元，總建筑面積2.2萬(wàn)平方米，建設(shè)辦公樓、車間、倉(cāng)庫(kù)及相關(guān)附屬設(shè)施，項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)1.33萬(wàn)噸電子化學(xué)品的生產(chǎn)能力。

 

· 檳城半導(dǎo)體芯片及封裝項(xiàng)目：

總投資5億元，租賃廠房1萬(wàn)平方米，年產(chǎn)60萬(wàn)片芯片、500只分立器件成品。

 

· 12寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅棒和硅片生產(chǎn)基地項(xiàng)目：

總投資1.05億元，總建筑面積2.7萬(wàn)平方米，建設(shè)廠房及附屬設(shè)施，形成年產(chǎn)硅棒100噸、拋光片100萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

 

· 聯(lián)寶科技新增年產(chǎn)1000萬(wàn)臺(tái)/套智能產(chǎn)品項(xiàng)目：

總投資100億元，新增年產(chǎn)1000萬(wàn)臺(tái)/套智能產(chǎn)品項(xiàng)目規(guī)劃生產(chǎn)服務(wù)器、超小型計(jì)算機(jī)、高端筆記本電腦、固態(tài)硬盤等智能產(chǎn)品，一期利用現(xiàn)有廠房進(jìn)行技術(shù)升級(jí)改造，二期新建標(biāo)準(zhǔn)廠房。目前生產(chǎn)主板車間新架第23條線，完成四廠生產(chǎn)主板F線和臺(tái)式F線，計(jì)劃2021年完成部分產(chǎn)線。