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深圳將建22億元SiC項目,背靠4萬億資產(chǎn)大股東

日期:2021-07-02 來源:GaN丨SiC風(fēng)向標(biāo)閱讀:388
核心提示:最近,深圳政府對外公示了一個SiC襯底和外延片生產(chǎn)線項目,項目投資額高達22億元。該項目的背后股東包括天科合達,以及手握4萬億資產(chǎn)的深圳國資。
最近,深圳政府對外公示了一個SiC襯底和外延片生產(chǎn)線項目,項目投資額高達22億元。
 
該項目的背后股東包括天科合達,以及手握4萬億資產(chǎn)的深圳國資。
 
 
總投資22億元
依托天科合達
 
6月26日,寶安區(qū)工信局發(fā)布消息,對《深圳市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點產(chǎn)業(yè)項目遴選方案》進行了公示。
 
根據(jù)《遴選方案》,該項目將建設(shè)碳化硅單晶和外延片生產(chǎn)線,將有效彌補國內(nèi) 6 英寸碳化硅單晶襯底和外延產(chǎn)能缺口。
 
據(jù)介紹,項目規(guī)劃占地面積為7.3653萬平方米,項目投資強度不少于2.99 億元/公頃,換算后項目總投資約為22億元。項目將在1.5年內(nèi)開建,4年內(nèi)竣工投產(chǎn)。
 
該項目意向用地單位為深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司。根據(jù)天眼查,北京天科合達持有重投天科25%股權(quán),為第三大股東。

 
《遴選方案》還提到,重投天科或股東擁有自主產(chǎn)權(quán)的碳化硅單晶襯底生長爐設(shè)備的設(shè)計、制造技術(shù);依托方擁有Epi-ready的單晶襯底清洗技術(shù);擁有高均勻性大尺寸低缺陷密度外延的制備技術(shù);擁有高壓超高壓用外延片低摻雜高少數(shù)載流子壽命制備技術(shù)(可實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn))。
 
背靠4萬億資產(chǎn)大股東
還將建SiC IDM項目?
 
而重投天科的另外2個大股東包括:深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司(持股45%)、深圳市重投創(chuàng)芯微半導(dǎo)體合伙企業(yè)(持股30%)。
 
這兩家公司都從屬于深圳市人民政府國有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會,據(jù)了解,深圳國資手握超4萬億資產(chǎn)。

 
除了重投天科,深圳國資還間接投資了其他多家半導(dǎo)體企業(yè)。今年3月17日,深圳國資和中芯國際投資152.75億元在深圳建造晶圓廠。此外,它還投資了深愛半導(dǎo)體、南京高光半導(dǎo)體、浙江博藍特、北京屹唐半導(dǎo)體、深迪半導(dǎo)體、晶芯半導(dǎo)體等。
 
除了上述SiC項目外,深圳國資還將建設(shè)SiC IDM項目。
 
2020年9月2日和今年5月28日,深圳市發(fā)改委官網(wǎng)發(fā)布的《深圳市2020年重大項目計劃增補清單》和《深圳市2021年重大項目計劃》,都涉及深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群IDM項目。
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