·北方華創(chuàng)、賽微電子等組建，北京一工程研究中心獲批，涉及先進(jìn)MEMS工藝研發(fā)

·鴻海25.2億元新臺(tái)幣收購?fù)炅缇A廠廠房及設(shè)備

·安徽微芯長江碳化硅項(xiàng)目主體封頂，可年產(chǎn)12萬片6英寸碳化硅晶圓片

·華微電子：公司正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)

·受全球影響，臺(tái)積電16nm以上制程芯片價(jià)格上漲

·英特爾晶圓廠選址或月底公布，未來十年將提升美歐制造份額

·比亞迪合肥年產(chǎn)40萬輛新能源汽車高端核心零部件項(xiàng)目完成備案

·民營晶圓代工企業(yè)浙江寧波榮芯半導(dǎo)體獲得戰(zhàn)略投資

·晶瑞股份擬投建5萬噸NMP擴(kuò)建項(xiàng)目

·2021新一代充電技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新合作論壇將于9月2日召開

·中芯國際：FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬片

 

 

近日，由北京海創(chuàng)微芯科技有限公司牽頭，聯(lián)合北京賽萊克斯國際科技有限公司、北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、北京中科賽微電子科技有限公司組建的先進(jìn)MEMS工藝設(shè)計(jì)與服務(wù)北京市工程研究中心正式獲得北京市發(fā)改委批復(fù)。

 

圖片該中心針對(duì)我國MEMS工藝制造起步晚、能力不足的瓶頸問題，聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和科研院所等機(jī)構(gòu)，圍繞MEMS器件制造關(guān)鍵工藝和工程化實(shí)現(xiàn)的核心技術(shù)，將通過搭建先進(jìn)MEMS工藝研發(fā)體系、打造中試公共服務(wù)中心、引進(jìn)吸收國際先進(jìn)MEMS代工技術(shù)、培養(yǎng)MEMS工藝和設(shè)備制造人才等路徑來填補(bǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新各環(huán)節(jié)間的脫節(jié)與斷層，形成有效的自主創(chuàng)新機(jī)制，形成產(chǎn)品需求到能力建設(shè)再到推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的良性循環(huán)，吸引一批MEMS產(chǎn)品設(shè)計(jì)公司在北京聚集，實(shí)現(xiàn)6英寸MEMS產(chǎn)品中試到8英寸MEMS產(chǎn)品量產(chǎn)的連貫銜接，整合各方資源協(xié)同發(fā)展北京市智能傳感器千億級(jí)產(chǎn)業(yè)。

 

 

臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》8月5日消息，旺宏電子和鴻?？萍技瘓F(tuán)共同舉辦簽約儀式，旺宏電子以25.2億元新臺(tái)幣將其位于新竹科學(xué)園區(qū)的六寸晶圓廠廠房及設(shè)備出售給鴻海，交易產(chǎn)權(quán)轉(zhuǎn)移預(yù)計(jì)于2021年底前完成。

 

報(bào)道稱，鴻海表示，購置旺宏六寸廠后，未來的主要產(chǎn)品除SiC功率元件外，也會(huì)輔以硅晶圓的產(chǎn)品如微機(jī)電系統(tǒng)MEMS等，契合鴻海發(fā)展半導(dǎo)體、電動(dòng)車、數(shù)位健康等事業(yè)的戰(zhàn)略需求。

 

 

8月1日，安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司碳化硅單晶襯底研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)工程迎來了主體工程封頂。

 

去年11月19日，安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司成立暨建設(shè)工程奠基儀式在安徽銅陵經(jīng)開區(qū)舉行。

 

據(jù)當(dāng)時(shí)的上海申和熱磁電子有限公司消息顯示，安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司SiC項(xiàng)目投資13.50億元，占地100畝，新建廠房建筑使用面積3.2萬平，包括碳化硅晶體生長車間、晶圓加工車間、研發(fā)中心、動(dòng)力廠房、輔助用廠房等。項(xiàng)目以4&6英寸工藝兼容的自動(dòng)化產(chǎn)線為實(shí)施要點(diǎn)，建設(shè)工期4年，從2020年10月起至2024年10月止，計(jì)劃2021年3季度完成廠房建設(shè)和設(shè)備安裝調(diào)試，2021年12月底完成中試并開始試銷，達(dá)成后預(yù)計(jì)年產(chǎn)4英寸碳化硅晶圓片3萬片、6英寸12萬片。

 

安徽微芯長江半導(dǎo)體材料有限公司成立于2020年10月，上海申和熱磁電子有限公司為其大股東，持股比例為31.4607%，公司經(jīng)營范圍包含：碳化硅錠、碳化硅片的銷售、生產(chǎn)、研發(fā)，碳化硅材料及相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等。

 

 

8月5日，有投資者向華微電子（600360）提問， 請(qǐng)問：1、公司SiC和GaN研發(fā)有何進(jìn)展，此類產(chǎn)品有何規(guī)劃；2、吉林日?qǐng)?bào)報(bào)道公司8英寸半導(dǎo)體滿產(chǎn)滿銷，訂單排到明年；那么4-6英寸半導(dǎo)體產(chǎn)品是否滿產(chǎn)滿銷；3、IGBT3300V研發(fā)有何進(jìn)展，是否進(jìn)一步研發(fā)更高級(jí)別IGBT計(jì)劃。

 

公司回答表示，尊敬的投資者您好 1、公司作為國內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先、產(chǎn)品種類最為齊全的功率半導(dǎo)體器件IDM公司，正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)。公司重點(diǎn)推進(jìn)SiC SBD 產(chǎn)品和 650V GaN 器件的開發(fā)。2、關(guān)于今年上半年的產(chǎn)銷量情況，公司將在2021年半年度報(bào)告中披露。3、公司IGBT有產(chǎn)能的最高電壓為1350V，在研的最高電壓為3300V。

 

 

8月6日，全球半導(dǎo)體領(lǐng)域數(shù)一數(shù)二的龍頭企業(yè)臺(tái)積電，將在今年八月份將芯片價(jià)格提高10%-15%。

 

此前，有消息稱臺(tái)積電受全球芯片影響售價(jià)將上調(diào)，而且還將取消了對(duì)客戶的優(yōu)惠，導(dǎo)致變相漲價(jià)數(shù)個(gè)百分點(diǎn)。導(dǎo)致今年芯片全球饑荒的因素是半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)芯片趨勢(shì)的誤判，通常芯片會(huì)按照工藝進(jìn)行區(qū)分，28nm以下的為先進(jìn)制程，高于28nm的被稱為成熟制程，芯片的新增產(chǎn)能大多都投入了先進(jìn)制程，成熟制程的產(chǎn)能減少，是導(dǎo)致本次事件的主要原因。

 

據(jù)悉，臺(tái)積電從 8 月起針對(duì) 16nm 以上制程訂單進(jìn)行調(diào)價(jià)，已經(jīng)談妥的訂單價(jià)格不變，增加的部分訂單將進(jìn)行調(diào)整，漲幅約 10-15%。

 

臺(tái)積電已經(jīng)計(jì)劃在今年試產(chǎn) 3nm 制程芯片，預(yù)計(jì)2022 年開始量產(chǎn)。本次芯片行業(yè)的饑荒，不知道將持續(xù)多久，如果不加速生產(chǎn)以后的產(chǎn)品供需差、價(jià)格差只會(huì)越來越大。

 

 

英特爾CEO Pat Gelsinger近日表示，該公司將在美國和歐洲建設(shè)晶圓廠，以便讓全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈更具彈性。他稱，美國的建廠地點(diǎn)將可容納6到8座晶圓廠，未來十年預(yù)計(jì)將投入1000億美元。

 

據(jù)華盛頓郵報(bào)報(bào)道，Pat Gelsinger在接受線上采訪時(shí)表示，一座新晶圓廠需要2-3年時(shí)間才能開始運(yùn)營，而一座大型先進(jìn)工廠則需要近4年時(shí)間。因此市場(chǎng)重回供需平衡還需要很長時(shí)間。“我相信今年下半年（半導(dǎo)體短缺）問題可能會(huì)觸底，但糟糕的是，我認(rèn)為我們?nèi)詫⒚τ谶@一問題，直到在明年達(dá)到適當(dāng)?shù)墓┬杵胶狻?rdquo;

 

Pat Gelsinger表示，英特爾正將目光放在整個(gè)美國地區(qū)。新廠選址將擁有非常大的面積，可以容納6到8座晶圓廠，每座晶圓廠將耗資100-150億美元之間。在未來十年，英特爾將投入1000億美元資金，并創(chuàng)造1萬個(gè)直接就業(yè)崗位，帶動(dòng)10萬人間接就業(yè)。從本質(zhì)上說，英特爾計(jì)劃中的大型晶圓廠（Mega-Fab）就是一座小城市。Pat Gelsinger補(bǔ)充說，希望在本月底之前宣布選址地點(diǎn)。

 

 

8月5日，據(jù)合肥市長豐縣發(fā)改委的項(xiàng)目備案信息顯示，《合肥比亞迪汽車有限公司合肥比亞迪汽車及零部件廠房建設(shè)項(xiàng)目》以及《合法比亞迪汽車有限公司合法比亞迪新能源汽車高端核心零部件項(xiàng)目》目前已完成備案。

 

該項(xiàng)目占地約3918畝，新建廠房26幢、消防水泵房及地下水池3個(gè)、綜合站房2幢、油庫、110KV電站、發(fā)車大棚、發(fā)運(yùn)中心、危廢倉2個(gè)、?；瘋}2個(gè)、廢料倉2個(gè)、物流中心、綜合辦公樓、食堂三幢、門衛(wèi)4個(gè)、招聘中心、垃圾站、26幢倒班樓、廢水處理區(qū)等，共計(jì)約230萬平方。

 

根據(jù)備案文件，該項(xiàng)目新建電機(jī)、電控、高壓線束及電動(dòng)總成、發(fā)動(dòng)機(jī)總成、發(fā)動(dòng)機(jī)氣缸體、制動(dòng)器總成等核心零部件生產(chǎn)工藝，建設(shè)廠房內(nèi)公用動(dòng)力設(shè)備及管路等公輔設(shè)施，購置總成裝配線、壓力機(jī)、焊接機(jī)等設(shè)備，項(xiàng)目建成后具備40萬輛新能源汽車高端核心配套零部件生產(chǎn)能力。

 

據(jù)了解，今年7月12日，合肥比亞迪汽車有限公司成立，注冊(cè)資本10億人民幣，法定代表人為何志奇，經(jīng)營范圍包括汽車零部件及配件制造、新能源汽車整車銷售、裝卸搬運(yùn)、通用零部件制造、道路貨物運(yùn)輸?shù)?。天眼查同時(shí)披露，該公司由比亞迪汽車工業(yè)有限公司全資持股。

 

 

近日，民營晶圓代工企業(yè)榮芯半導(dǎo)體完成戰(zhàn)略融資，投資方為元禾控股、清控銀杏創(chuàng)投、紅杉資本中國、美團(tuán)、馮源投資、民和資本。

 

據(jù)了解，榮芯半導(dǎo)體是一家半導(dǎo)體分立器件制造商，主要經(jīng)營一般項(xiàng)目為半導(dǎo)體分立器件制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、集成電路設(shè)計(jì)等。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，榮芯半導(dǎo)體所屬領(lǐng)域先進(jìn)制造本年度共有180筆融資。

 

本輪投資方蘇州元禾控股股份有限公司（以下簡稱“元禾控股”），是一家管理近千億元基金規(guī)模的投資控股企業(yè)，業(yè)務(wù)覆蓋股權(quán)投資、債權(quán)融資和投融資服務(wù)三大板塊，包括了中國第一只市場(chǎng)化運(yùn)作的股權(quán)投資母基金、江蘇省首家“股權(quán)+債權(quán)”的科技小額貸款公司等。

 

 

晶瑞股份8月5日晚間公告，全資子公司晶瑞新能源擬投資建設(shè)年產(chǎn)1萬噸γ-丁內(nèi)酯(即GBL)及5萬噸電子半導(dǎo)體級(jí)N-甲基吡咯烷酮(即NMP)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資不超過3億元。

 

據(jù)了解，晶瑞新能源是電子化學(xué)品生產(chǎn)制造商，主要產(chǎn)品為NMP及GBL，被廣泛應(yīng)用于下游的鋰電池、新材料、醫(yī)藥等領(lǐng)域，核心產(chǎn)品NMP主要用于鋰電池、半導(dǎo)體和顯示面板的一種溶劑或清洗材料。在鋰電池應(yīng)用方面，一般作為正極涂布溶劑，或作為鋰電池導(dǎo)電劑漿料溶劑；在半導(dǎo)體和平板顯示器應(yīng)用方面，NMP作為重要原材料，廣泛應(yīng)用于光刻膠剝離液和有機(jī)物清洗液等產(chǎn)品。晶瑞新能源生產(chǎn)的GBL主要應(yīng)用于下游合成NMP等產(chǎn)品。

 

目前，晶瑞股份擁有2.5萬噸/年NMP 生產(chǎn)及回收產(chǎn)能，子公司晶瑞新能源為三星環(huán)新（西安）動(dòng)力電池在中國的唯一指定NMP供應(yīng)商，此外，還是寧德時(shí)代、三菱化學(xué)等行業(yè)知名企業(yè)供應(yīng)商。晶瑞新能源在高端電子級(jí)NMP的生產(chǎn)過程中實(shí)現(xiàn)一次合成精餾，大幅降低成本的同時(shí)提升產(chǎn)品質(zhì)量。

 

對(duì)于本次擴(kuò)產(chǎn)，晶瑞股份表示，受益于我國半導(dǎo)體材料及新能源汽車行業(yè)高速發(fā)展，下游客戶對(duì)NMP產(chǎn)品需求持續(xù)增加，根據(jù)公司戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃，為更好地滿足客戶及下游市場(chǎng)需求，擴(kuò)大公司產(chǎn)品市場(chǎng)份額，增強(qiáng)公司的盈利能力，促進(jìn)公司長遠(yuǎn)發(fā)展，公司擬投資建設(shè)1萬噸GBL及5萬噸NMP產(chǎn)品，有利于公司進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品產(chǎn)能，緩解市場(chǎng)供應(yīng)短缺問題，鞏固公司的行業(yè)競爭地位。本項(xiàng)目投資建設(shè)短期內(nèi)將增加公司現(xiàn)金及費(fèi)用支出，但從長遠(yuǎn)來看對(duì)公司業(yè)務(wù)布局和經(jīng)營業(yè)績具有積極影響，符合公司及全體股東的利益。

 

 

SiC和GaN作為第三代半導(dǎo)體材料的先鋒，以其三大特性：開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、導(dǎo)通電阻低，使得新一代通用電源在縮小容積以及提升充電速度方面都有了長足進(jìn)步。為了更好的把握時(shí)機(jī)推進(jìn)新一代充電技術(shù)及產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。9月2日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉辦 “2021新一代充電技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新合作論壇”,特邀請(qǐng)新能源汽車充電樁及PD快充產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家及企業(yè)代表，探討第三代半導(dǎo)體新一代充電技術(shù)及產(chǎn)業(yè)機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

 

深耕電子產(chǎn)業(yè)近30年，由博聞創(chuàng)意會(huì)展（深圳）有限公司主辦的ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展將于9月1-3日在深圳國際會(huì)展中心開展。2021年將展示5G、物聯(lián)網(wǎng)、邊緣AI、國產(chǎn)芯片、RISC-V、嵌入式系統(tǒng)、可穿戴技術(shù)、SiP與先進(jìn)封測(cè)、自動(dòng)駕駛與車聯(lián)網(wǎng)、共享充換電技術(shù)、第三代半導(dǎo)體等技術(shù)新品和方案，現(xiàn)場(chǎng)舉辦20+場(chǎng)高峰論壇。屆時(shí)，Informa英富曼集團(tuán)將全力打造“光+電”全產(chǎn)業(yè)鏈航母旗艦大展！同期總面積達(dá)20萬+，參觀觀眾達(dá)13萬+。

 

 

中芯國際發(fā)布二季度財(cái)報(bào)，2021 年第二季度的銷售收入為 13.4 億美元，同比增長 43.2%。第二季度毛利為 4.05 億美元，同比增長 62.9%。

 

中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在二季度電話會(huì)議上表示，“我們的 FinFET 工藝已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月 1.5 萬片，客戶多樣化，不同的產(chǎn)品平臺(tái)都導(dǎo)入了。（這部分）產(chǎn)能處于緊俏狀態(tài)，客戶不斷進(jìn)來。”

 

據(jù)了解，前不久中芯國際吳金剛博士宣布離職。吳金剛博士擔(dān)任中芯國際研發(fā)副總裁，是公司五大核心人才之一，參與了 FinFET 工藝研發(fā)。此前吳金剛博士離職時(shí)，中芯國際發(fā)表公告，表示離職后，吳金剛博士不再擔(dān)任公司任何職務(wù)。目前公司的技術(shù)研發(fā)工作均正常進(jìn)行，吳金剛博士的離職未對(duì)公司整體研發(fā)實(shí)力產(chǎn)生重大不利影響。

 

目前，臺(tái)積電、三星在 5nm/7nm 工藝段都采用 FinFET 結(jié)構(gòu)，而在下一世代 3nm 工藝的晶體管結(jié)構(gòu)選擇上，兩者出現(xiàn)分歧。三星選擇采用 GAA 結(jié)構(gòu)，臺(tái)積電則出于穩(wěn)健考慮，選擇在第一代 3nm 工藝?yán)^續(xù)沿用 FinFET 技術(shù)。

 

近日，三星代工廠流片了基于環(huán)柵 (GAA) 晶體管架構(gòu)的 3nm 芯片，通過使用納米片（Nanosheet）制造出了 MBCFET（多橋通道場(chǎng)效應(yīng)管），可顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代 FinFET 晶體管技術(shù)。三星執(zhí)行副總裁兼代工銷售和營銷主管 Charlie Bae 表示：“基于 GAA 結(jié)構(gòu)的下一代工藝節(jié)點(diǎn)（3nm）將使三星能夠率先打開一個(gè)新的智能互聯(lián)世界，同時(shí)加強(qiáng)我們的技術(shù)領(lǐng)先地位”。

 

分析稱，2nm 或?qū)⑹?FinFET 結(jié)構(gòu)全面過渡到 GAA 結(jié)構(gòu)的技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在經(jīng)歷了 Planar FET、FinFET 后，晶體管結(jié)構(gòu)將整體過渡到 GAAFET 結(jié)構(gòu)上。根據(jù)國際器件和系統(tǒng)路線圖（IRDS）的規(guī)劃，在 2021-2022 年以后，F(xiàn)inFET 結(jié)構(gòu)將逐步被 GAA 結(jié)構(gòu)所取代。