半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息：2022年3月4日，記者從國(guó)家科技管理信息系統(tǒng)公共服務(wù)平臺(tái)獲悉，科技部發(fā)布了《關(guān)于征求“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“煤炭清潔高效利用技術(shù)”等24個(gè)重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)2022年度項(xiàng)目申報(bào)指南意見(jiàn)的通知》，向社會(huì)征求意見(jiàn)和建議。征求意見(jiàn)時(shí)間為2022年3月3日至2022年3月9日。
據(jù)了解，本次共涉及“煤炭清潔高效利用技術(shù)”“氫能技術(shù)”“可再生能源技術(shù)”“儲(chǔ)能與智能電網(wǎng)技術(shù)”“交通基礎(chǔ)設(shè)施”“交通載運(yùn)裝備與智能交通技術(shù)”“新能源汽車(chē)”“多模態(tài)網(wǎng)絡(luò)與通信”“區(qū)塊鏈”“微納電子技術(shù)”“先進(jìn)計(jì)算與新興軟件”“信息光子技術(shù)”“高性能計(jì)算””網(wǎng)絡(luò)空間安全治理”“智能傳感器”“工業(yè)軟件”“高性能制造技術(shù)與重大裝備”“增材制造與激光制造”“智能機(jī)器人”“先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料”“高端功能與智能材料”“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”“稀土新材料”“文化科技與現(xiàn)代服務(wù)業(yè)”等24個(gè)重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)，具體內(nèi)容需要各單位登錄”國(guó)家科技管理信息系統(tǒng)公共服務(wù)平臺(tái)”，在”公開(kāi)公示-指南意見(jiàn)征集”菜單欄中查看指南意見(jiàn)征集材料。
本次征求意見(jiàn)重點(diǎn)針對(duì)專(zhuān)項(xiàng)指南方向提出的目標(biāo)指標(biāo)和相關(guān)內(nèi)容的合理性、科學(xué)性、先進(jìn)性等方面聽(tīng)取各方意見(jiàn)和建議。請(qǐng)于3月9日前將建議或意見(jiàn)發(fā)送到科技部通知中的指定郵箱（需要各單位登錄賬號(hào)才能查看）。科技部將會(huì)同有關(guān)部門(mén)、專(zhuān)業(yè)機(jī)構(gòu)和專(zhuān)家，認(rèn)真研究收到的意見(jiàn)和建議，修改完善相關(guān)重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)的項(xiàng)目申報(bào)指南。征集到的意見(jiàn)和建議，將不再反饋和回復(fù)。
以“十四五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)2022年度項(xiàng)目申報(bào)指南（征求意見(jiàn)稿）為例，對(duì)新型顯示材料與器件（12個(gè)）、第三代半導(dǎo)體材料與器件（19個(gè)）、大功率激光材料與器件（7個(gè)）、前沿電子材料與器件（5個(gè)）、青年科學(xué)家項(xiàng)目（15個(gè)）五大類(lèi)，共計(jì)58個(gè)科研課題項(xiàng)目，對(duì)每個(gè)研究課題的研究?jī)?nèi)容及考核指標(biāo)作出了明確要求。
在關(guān)于新型顯示材料與器件方面，共設(shè)8項(xiàng)共性關(guān)鍵技術(shù)和4項(xiàng)典型應(yīng)用示范項(xiàng)目。設(shè)有：柔性顯示用無(wú)鎘無(wú)鉛量子點(diǎn)發(fā)光顯示關(guān)鍵材料及器件研究（共性關(guān)鍵技術(shù)，部省聯(lián)動(dòng)），基于計(jì)算-實(shí)驗(yàn)- 數(shù)據(jù)融合的高光效窄譜帶藍(lán)光OLED/QLED 發(fā)光材料與器件研究（基礎(chǔ)前沿技術(shù)），柔性顯示用聚酰亞胺新材料關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），柔性顯示加工關(guān)鍵裝備工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)（共性關(guān)鍵技術(shù)）， OLED 顯示玻璃材料關(guān)鍵技術(shù)開(kāi)發(fā)（典型應(yīng)用示范）， 面向AR 應(yīng)用的高像素密度Micro-LED 微顯示關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)）， 高亮度Micro-LED 投影顯示關(guān)鍵技術(shù)研究（共性關(guān)鍵技術(shù)），柔性Micro-LED 顯示關(guān)鍵技術(shù)研究（共性關(guān)鍵技術(shù)，部省聯(lián)動(dòng)），近零功耗彩色電子紙顯示材料與柔性顯示器件（典型應(yīng)用示范），全印刷薄膜晶體管（TFT）與電場(chǎng)調(diào)控驅(qū)動(dòng)技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），集成屏下攝像頭等傳感技術(shù)的柔性顯示微系統(tǒng)應(yīng)用示范（典型應(yīng)用示范，部省聯(lián)動(dòng)）和 LTPO 技術(shù)應(yīng)用示范（典型應(yīng)用示范）12個(gè)研究課題。
在第三代半導(dǎo)體材料與器件方面，共布局8個(gè)共性關(guān)鍵技術(shù)、5個(gè)基礎(chǔ)前沿技術(shù)和6個(gè)典型應(yīng)用示范項(xiàng)目。包括：抗輻射SiC 基功率電子器件及其在航天電源中的應(yīng)用（共性關(guān)鍵技術(shù)），面向軌道交通和智能電網(wǎng)應(yīng)用的高壓SiC 基功率電子材料和器件（典型應(yīng)用示范），面向工業(yè)電機(jī)應(yīng)用的GaN 基功率電子材料與器件（共性關(guān)鍵技術(shù)），GaN 基縱向功率電子材料與器件研究（基礎(chǔ)前沿技術(shù)），GaN 基互補(bǔ)型邏輯集成電路技術(shù)的基礎(chǔ)研究（基礎(chǔ)前沿技術(shù)），高頻寬帶移動(dòng)通信用濾波器關(guān)鍵技術(shù)研究（典型應(yīng)用示范），InGaN 基長(zhǎng)波段LED 關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)，定向委托），面向現(xiàn)代農(nóng)業(yè)高效種養(yǎng)需求的LED 技術(shù)及其示范應(yīng)用（典型應(yīng)用示范，部省聯(lián)動(dòng)），面向生殖健康醫(yī)療需求的LED 技術(shù)及專(zhuān)用系統(tǒng)研制（典型應(yīng)用示范），大功率深紫外AlGaN 基LED 發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)（典型應(yīng)用示范），高靈敏度寬禁帶半導(dǎo)體紫外探測(cè)器及多元成像技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），面向公共衛(wèi)生等領(lǐng)域的深紫外LED 模組和裝備開(kāi)發(fā)及應(yīng)用示范（典型應(yīng)用示范），波長(zhǎng)短于250 納米的AlGaN 基深紫外LED、紫外激光材料與器件關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），GaN 單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），AlN 單晶襯底制備和同質(zhì)外延關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），鎵系寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料基因工程和信息感知器件（基礎(chǔ)前沿技術(shù)），大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料與高性能器件研究（共性關(guān)鍵技術(shù)），面向器件研制的大尺寸金剛石半導(dǎo)體材料制備和高效摻雜（基礎(chǔ)前沿技術(shù)）和氮化物寬禁帶半導(dǎo)體強(qiáng)耦合量子結(jié)構(gòu)材料和器件（基礎(chǔ)前沿技術(shù)）在內(nèi)19個(gè)研究課題。
在大功率激光材料與器件方面，布局有3個(gè)共性關(guān)鍵技術(shù)、1個(gè)基礎(chǔ)前沿技術(shù)和3個(gè)典型應(yīng)用示范項(xiàng)目。包括：大尺寸激光晶體材料制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用研究（共性關(guān)鍵技術(shù)），晶體薄片加工及新一代增益器件制備（基礎(chǔ)前沿技術(shù)），光纖激光器用高性能激光光纖（典型應(yīng)用示范），高損傷薄膜光學(xué)器件及大口徑光柵制備及工藝研究（共性關(guān)鍵技術(shù)），高性能SESAM 材料器件關(guān)鍵技術(shù)（典型應(yīng)用示范），重頻寬帶大脈沖能量激光技術(shù)研究（共性關(guān)鍵技術(shù)）和千瓦級(jí)高功率特種光纖激光器（典型應(yīng)用示范，部省聯(lián)動(dòng)）7個(gè)研究課題。
在前沿電子材料與器件方面，布局有4個(gè)共性關(guān)鍵技術(shù)和1個(gè)基礎(chǔ)前沿技術(shù)。量子點(diǎn)納米像元發(fā)光顯示（QD-NLED）關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），集成成像光場(chǎng)顯示關(guān)鍵技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），高頻大帶寬射頻濾波關(guān)鍵材料與器件技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)），中紅外氣體檢測(cè)材料與器件關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用（共性關(guān)鍵技術(shù)），垂直溝道銦鎵鋅氧場(chǎng)效應(yīng)晶體管動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）技術(shù)研究（基礎(chǔ)前沿技術(shù)）5個(gè)研究課題。
在青年科學(xué)家項(xiàng)目方面，布局有新型鎵化合物量子點(diǎn)發(fā)光材料研究，柔性雙柵氧化物TFT 器件與電路研究，基于原子層沉積氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的Micro-LED 驅(qū)動(dòng)研究，高動(dòng)態(tài)彩色激光全息三維顯示關(guān)鍵技術(shù)研究，高折射高透明聚環(huán)烯烴關(guān)鍵材料與聚合反應(yīng)研究，高性能長(zhǎng)壽命晶態(tài)藍(lán)光OLED 器件研究，大功率低插損GaN 基開(kāi)關(guān)關(guān)鍵技術(shù)，高維多自由度渦旋光場(chǎng)的調(diào)控機(jī)理與調(diào)控技術(shù)，高功率連續(xù)啁啾激光遠(yuǎn)距離單光子差分測(cè)距技術(shù)，大功率高頻段太赫茲激光器研究，基于線性單光子過(guò)程的極紫外相干光源研究，基于范德華外延的柔性氮化物納米發(fā)光器件及顯示陣列研究，虛實(shí)融合真3D 顯示機(jī)理與關(guān)鍵材料研究，基于阻變存儲(chǔ)器件的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)脈沖動(dòng)力學(xué)研究和新型鉿基鐵電材料與器件集成技術(shù)研究在內(nèi)15個(gè)研究課題。
備注：請(qǐng)各單位登錄國(guó)家科技管理信息系統(tǒng)公共服務(wù)平臺(tái)查看相關(guān)項(xiàng)目申報(bào)指南。網(wǎng)址：https://service.most.gov.cn/index/
