半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：4月12日，中車時代電氣發(fā)布公告，公司控股子公司株洲中車時代半導體有限公司擬投資4.62億元，實施碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設項目。

 

該項目主要內(nèi)容為對時代半導體位于石峰區(qū)田心工業(yè)園區(qū)內(nèi)的碳化硅芯片線廠房進行改造升級，包括改造既有設備，新增工藝設備及工藝輔助設備，信息化軟件新增或?qū)嵤┓眨b修潔凈室，配套進行廠務擴容，新增公用設備等。項目建設工期預計為24個月。

 

項目建成達產(chǎn)后，將把該公司現(xiàn)有的平面柵碳化硅MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵碳化硅MOSFET芯片研發(fā)能力，現(xiàn)有4英寸碳化硅芯片線將提升到6英寸碳化硅芯片線，產(chǎn)能也將從1萬片/年的能力提升到2.5萬片/年。

 

響應國家要求及公司整體發(fā)展戰(zhàn)略，時代電氣致力于打造先進的功率半導體器件自主核心技術(shù)，依托強大的應用及產(chǎn)業(yè)平臺，強化“芯片-模塊組件-裝置-系統(tǒng)”完整產(chǎn)業(yè)鏈，形成器件技術(shù)推動裝置進步、裝置技術(shù)拉動器件技術(shù)的良性循環(huán)，其生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品打破了軌道交通核心器件和特高壓輸電工程關(guān)鍵器件由國外企業(yè)壟斷的局面，目前正在解決我國新能源汽車核心器件自主化問題。

 

公告顯示，通過項目的實施，該公司可形成面向新能源汽車、軌道交通方向的碳化硅芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，并進一步研發(fā)高性能的新產(chǎn)品，可以進一步推進時代半導體工藝技術(shù)進步，提升產(chǎn)業(yè)化水平，不僅可以較好地滿足下游新能源、光伏以及儲能的爆發(fā)式需求，又可以提升國家第三代半導體關(guān)鍵芯片自主化，提升國際競爭力，對保障第三代半導體產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展具有重要意義。