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滿產狀態(tài)!徐州致能半導體氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目正試生產

日期:2022-05-07 來源:半導體產業(yè)網閱讀:512
核心提示:致能半導體氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目預計可正式投產,當年的銷售額預計可達到2000萬元。
半導體產業(yè)網消息:近日,徐州致能半導體有限公司(簡稱“致能半導體”)氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目正進行研發(fā)試驗片的試生產,預計11月可正式投產。
 
朱解冰表示,去年1月,致能半導體上馬的氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目正式開工建設,11月進入聯調聯試階段,目前正在進行研發(fā)試驗片的試生產。目前130名員工已全部復工,生產線處于滿線生產狀態(tài),研發(fā)試驗片的月產量能達到1000多件。” “

對于致能半導體來說,大宗氣體是保證生產必須的原材料。“像氮氣、氫氣等幾乎三天就要用一車,復工復產后,高新區(qū)管委會積極幫助企業(yè)對接原材料供應,保障物流暢通,讓企業(yè)很快加速運轉起來。今年11月,氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目預計可正式投產,當年的銷售額,我們預計可達到2000萬元。”朱解冰信心滿滿地說。
 
據介紹,致能半導體自主研發(fā)的氮化鎵芯片共封裝技術可把氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起,形成氮化鎵芯片共封裝器件,能有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導致的延時較長、寄生電感較大、干擾嚴重等問題,發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢。 
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