在汽車電子、消費(fèi)電子等多領(lǐng)域驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已于2021年駛?cè)氚l(fā)展“快車道”。步入2022年，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目依然動(dòng)態(tài)頻頻，持續(xù)為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供新動(dòng)能。

 

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2022上半年，已有超7個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目落地，部分碳化硅企業(yè)取得重要進(jìn)展，產(chǎn)學(xué)研合作持續(xù)加深。

 

 

今年上半年，落地的第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目中投資額最大為60億元——同芯第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。該項(xiàng)目投產(chǎn)后將建設(shè)年產(chǎn)2.5萬(wàn)顆六英寸碳化硅晶錠及相關(guān)延鏈產(chǎn)品的生產(chǎn)線，為汽車、軌道客車、光學(xué)設(shè)備等產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品配套打下基礎(chǔ)。

 

從投資額來(lái)看，上半年落地項(xiàng)目總投資額已近百億元，此外，除項(xiàng)目簽約落地以外，福州高意、芯粵能等企業(yè)項(xiàng)目也已取得順利進(jìn)展，進(jìn)一步為我國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)能貢獻(xiàn)力量。

 

今年4月，福州高意首條第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓基片生產(chǎn)線進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，首條碳化硅生產(chǎn)線量產(chǎn)后，第二條、第三條生產(chǎn)線也在加快建設(shè)，到明年底，福州高意碳化硅基片產(chǎn)能有望突破50萬(wàn)片。

 

此外，天達(dá)晶陽(yáng)碳化硅晶片項(xiàng)目也計(jì)劃再投資7.31億元，建設(shè)（擁有）400臺(tái)套完整（設(shè)備）的碳化硅晶體生產(chǎn)線。屆時(shí)，4-8英寸碳化硅晶片的年產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)片。

 

今年5月17日，廣東芯粵能碳化硅芯片制造項(xiàng)目主體工程封頂。芯粵能碳化硅芯片項(xiàng)目總投資75億元人民幣，占地150畝。一期投資35億元，建成年產(chǎn)24萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)線；二期建設(shè)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓芯片的生產(chǎn)線。

 

從技術(shù)角度而言，我國(guó)企業(yè)紛紛布局第三代半導(dǎo)體碳化硅領(lǐng)域，全國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)能也逐漸攀升，隨著碳化硅襯底成本逐年降低，有望進(jìn)一步促進(jìn)三代半市場(chǎng)發(fā)展。

 

 

一直以來(lái)，襯底的制造是產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價(jià)值量最大環(huán)節(jié)，也是碳化硅規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心。目前，國(guó)際上碳化硅主流已發(fā)展至6英寸，碳化硅龍頭企業(yè)Wolfspeed已率先展開(kāi)8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)，此外，II-IV在2015年制備成功8英寸SiC樣片，羅姆和意法半導(dǎo)體也分別宣布擁有8英寸襯底制作技術(shù)。

 

伴隨我國(guó)政策支持，以及科研機(jī)構(gòu)、相關(guān)企業(yè)的共同發(fā)力，今年以來(lái)，我國(guó)在碳化硅襯底也取得了新的技術(shù)突破。

 

碳化硅襯底主要有2大類型：半絕緣型和導(dǎo)電型。在半絕緣型碳化硅市場(chǎng)，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為4 英寸。在導(dǎo)電型碳化硅市場(chǎng)，目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為 6 英寸。

 

爍科晶體此前宣布，公司已于2022年1月實(shí)現(xiàn)8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產(chǎn)，向8英寸國(guó)產(chǎn)N型碳化硅拋光片的批量化生產(chǎn)邁出關(guān)鍵一步。去年8月，爍科晶體已研制出8英寸碳化硅晶體，解決大尺寸單晶制備的重要難題。

 

6月17日，科友半導(dǎo)體宣布，以其自主設(shè)備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實(shí)現(xiàn)突破，達(dá)到32.146mm，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。此外，其自主研發(fā)的SiC長(zhǎng)晶爐（感應(yīng)）已有99%的部件實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。

 

在設(shè)備領(lǐng)域，今年4月季華實(shí)驗(yàn)室宣布，6英寸SiC高溫外延裝備研制成功，整機(jī)國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)85%。

 

 

一直以來(lái)，“產(chǎn)學(xué)研用”為國(guó)內(nèi)碳化硅襯底發(fā)展的重要推進(jìn)動(dòng)力。國(guó)內(nèi)高校和科研單位對(duì) SiC 單晶的研究始發(fā)于2000 年前后，主要包括中科院物理所、山東大學(xué)、上海硅酸鹽所、 中電集團(tuán) 46 所等。孕育出天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等國(guó)內(nèi)碳化硅襯底領(lǐng)先企業(yè)。

 

此前，科技部圍繞國(guó)家重大區(qū)域發(fā)展戰(zhàn)略部署，在全國(guó)布局國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳、南京、蘇州、北京、山西、湖南6個(gè)分中心，山西平臺(tái)作為國(guó)創(chuàng)中心六大平臺(tái)的重要一環(huán)，對(duì)建立健全國(guó)家半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新體系，推動(dòng)山西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要作用。

 

今年上半年，山西、蘇州的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新也迎來(lái)了新動(dòng)作。

 

6月，山西省發(fā)改委公布2022年省定省管重點(diǎn)工程項(xiàng)目情況，其中包括國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所（簡(jiǎn)稱“中國(guó)電科二所”）牽頭，聯(lián)合省內(nèi)優(yōu)勢(shì)研發(fā)和創(chuàng)新機(jī)構(gòu)形成創(chuàng)新聯(lián)合體。2022年計(jì)劃投資7.37億元。通過(guò)揭榜掛帥機(jī)制在所內(nèi)開(kāi)展了8個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目攻關(guān)，并取得了突破性進(jìn)展。

 

6月，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）也面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向，新啟動(dòng)共建8家聯(lián)合研發(fā)中心，包括氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。

 

此外，7月4日蘇州車規(guī)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究所揭牌啟動(dòng)。目前研究所設(shè)有車用芯片先進(jìn)封裝研究中心、車用智能交互照明系統(tǒng)技術(shù)研究中心和氮化鎵高功率模塊技術(shù)研究中心3個(gè)研究方向


來(lái)源：集微網(wǎng)