半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉 8月8日，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導(dǎo)體器件及模組研發(fā)生產(chǎn)項目建設(shè)正式啟動。項目總投資約10億元，建成投產(chǎn)后將為森未科技在內(nèi)的功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)提供IGBT特色授權(quán)委托加工服務(wù)，包括IGBT芯片、模組及方案組建產(chǎn)品等，實現(xiàn)年營收9億元。
據(jù)成都日報報道，該項目占地30畝，計劃分兩期建設(shè)。其中，一期將建設(shè)一條8英寸超薄IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）特色背面晶圓線，一條高端功率半導(dǎo)體集成封裝生產(chǎn)線，計劃今年年底完成廠房封頂。一期項目建成后，將形成年產(chǎn)120萬只功率半導(dǎo)體模塊制造能力，10萬套集成組件生產(chǎn)能力。
據(jù)了解，按規(guī)劃，項目一期計劃2022年底完成廠房封頂，2023年6月完成包括潔凈廠房在內(nèi)的所有裝修工作。2023年第三季度封裝產(chǎn)線進入聯(lián)調(diào)階段，2023年第四季度投入試生產(chǎn)。2024年第一季度，IGBT背面超薄晶圓特色工藝平臺也將投入使用。二期擴產(chǎn)建設(shè)預(yù)計將于2025年啟動。
