芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地，總投資 8 億元，建筑面積約 30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能 120 萬套，預計在 2023 年 9 月具備設備全面入廠條件，最快于今年年底投入量產(chǎn)。長城汽車表示，芯動半導體將以開發(fā)第三代功率半導體 SiC 模組及應用解決方案為目標，以自主研發(fā)實現(xiàn)國產(chǎn)替代，并對上下游資源高效整合、聯(lián)動發(fā)展，實現(xiàn)對功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。