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科友半導(dǎo)體:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目一期投產(chǎn),二期將于近期開工

日期:2023-03-27 閱讀:574
核心提示:據(jù)人民網(wǎng)3月26日報道,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司(以下簡稱科友半導(dǎo)體)開發(fā)的高性能碳化硅長晶裝備和高質(zhì)

 據(jù)人民網(wǎng)3月26日報道,哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司(以下簡稱“科友半導(dǎo)體”)開發(fā)的高性能碳化硅長晶裝備和高質(zhì)量襯底產(chǎn)品實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。自主研發(fā)的第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品不僅具有晶體生長周期短、良率高等優(yōu)勢,而且將襯底成本降低一半以上。

2018年,哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授趙麗麗帶領(lǐng)技術(shù)團隊成立科友半導(dǎo)體,開展碳化硅高端裝備設(shè)計及晶體材料研究。

據(jù)悉,在黑龍江省重大科技成果轉(zhuǎn)化項目“碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)研究”等的支持下,科友半導(dǎo)體解決大尺寸碳化硅單晶制備易開裂、缺陷密度高、生長速率慢等技術(shù)難題,突破碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化系列關(guān)鍵技術(shù),完成了6英寸設(shè)備研制、生產(chǎn)線搭建、單晶襯底材料制備等,并在此基礎(chǔ)上進一步實現(xiàn)了8英寸碳化硅單晶襯底制備。

據(jù)報道,科友半導(dǎo)體建設(shè)的省重點項目第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn);第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)二期工程將于近期開工建設(shè),建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅襯底15萬片。

2020年7月3日,科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目在哈爾濱新區(qū)江北一體發(fā)展區(qū)開工建設(shè)??朴寻雽?dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)由科友半導(dǎo)體和哈爾濱新區(qū)共同出資建設(shè)。哈爾濱新區(qū)發(fā)布當(dāng)時消息顯示,該項目一期計劃投資10億元,主要建設(shè)中俄第三代半導(dǎo)體研究院、中外聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新中心、科友半導(dǎo)體襯底制備中心、科友半導(dǎo)體高端裝備制造中心、國際孵化基地、科友半導(dǎo)體產(chǎn)品檢驗檢測中心、人工寶石展覽館等項目。項目全部達產(chǎn)后,最終形成年產(chǎn)高導(dǎo)晶片近10萬片,高純半絕緣晶體1000公斤的產(chǎn)能;PVT-SIC晶體生長成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺套。

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