半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：?華微電子(600360)5月31日召開2022年度業(yè)績(jī)說明會(huì)，公司董事長(zhǎng)夏增文，董事、CEO于勝東，董事會(huì)秘書孫鋮等出席活動(dòng)，并與投資者進(jìn)行溝通交流。

吉林華微電子股份有限公司是集功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片加工、封裝測(cè)試及產(chǎn)品營(yíng)銷為一體的國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。華微電子擁有4英寸、5英寸、6英寸與8英寸多條功率半導(dǎo)體分立器件及IC芯片生產(chǎn)線，芯片加工能力每年400萬片，封裝能力每年24億支，模塊每年2400萬塊。公司在終端設(shè)計(jì)、工藝制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有多項(xiàng)專利，各系列產(chǎn)品采用IGBT、MOS、雙極技術(shù)及集成電路等核心制造技術(shù)，其中IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設(shè)計(jì)技術(shù)等國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國(guó)際同行業(yè)先進(jìn)水平。公司主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體器件及IC，目前公司已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營(yíng)銷主線的系列產(chǎn)品，產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍，廣泛應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED照明等領(lǐng)域，并不斷在新能源汽車、光伏、變頻等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域快速拓展。

華微電子2022年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入19.53億元，凈利潤(rùn)5775萬元。2022年的研發(fā)投入過億元，持續(xù)加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)建設(shè)，全年獲得超過30項(xiàng)專利授權(quán)，占公司現(xiàn)有專利總數(shù)的23%、占近3年授權(quán)數(shù)量的50%，達(dá)到歷史新高。

“產(chǎn)品創(chuàng)新方面，公司推出多款自主研發(fā)多層外延超結(jié)MOS、Trench FS IGBT新產(chǎn)品。超結(jié)MOS產(chǎn)品應(yīng)用于充電樁、UPS電源等領(lǐng)域，Trench FS IGBT產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)變頻、光伏發(fā)電、白色家電等領(lǐng)域，成功替代國(guó)外知名品牌產(chǎn)品，為我國(guó)在智能、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代推進(jìn)產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化替代、實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展培育了新動(dòng)能。”于勝東說。

在華微電子2022年年度董事會(huì)經(jīng)營(yíng)評(píng)述中顯示，在研發(fā)方面，華微電子完成了第二代多層外延高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)、載流子存儲(chǔ)溝槽IGBT技術(shù)、中壓SGTMOS、SiC SBD和650V GaN等產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了具有自身特色的功率半導(dǎo)體工藝平臺(tái)的建設(shè)，進(jìn)一步完善了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

（1）超結(jié)MOS：第二代超結(jié)MOS進(jìn)入量產(chǎn)階段，應(yīng)用于電源及工業(yè)領(lǐng)域。

圖源：華微電子官網(wǎng)

（2）IGBT：根據(jù)在白色家電、工業(yè)變頻、UPS和光伏等領(lǐng)域應(yīng)用的不同特點(diǎn)，有針對(duì)性地優(yōu)化IGBT產(chǎn)品參數(shù)，形成適用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的低、中、高頻系列IGBT產(chǎn)品及模塊。開發(fā)載流子存儲(chǔ)溝槽IGBT技術(shù)，較上一代TrenchIGBT電流能力提升25%，有望在未來幾年進(jìn)一步提升公司IGBT產(chǎn)品的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。

（3）中低壓MOS：完成SGTMOS產(chǎn)品系列化，具有低導(dǎo)通電阻兼顧耐沖擊能力的特點(diǎn)，產(chǎn)品達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，在電源、BMS領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。

（4）寬禁帶半導(dǎo)體：完成650V-1200V、5A-40ASiCSBD產(chǎn)品開發(fā)，在快充、光伏、大功率電源領(lǐng)域開始示范性應(yīng)用；在現(xiàn)有GaNHEMT技術(shù)平臺(tái)基礎(chǔ)上，完成二代100V-650V高FOM值GaN功率器件開發(fā)，同產(chǎn)品規(guī)格下芯片面積縮小30%，產(chǎn)品可用于30W-240W充電器、48VDC/DC轉(zhuǎn)換器、通信電源及光伏微型逆變器等領(lǐng)域，功率密度及轉(zhuǎn)換效率達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

（5）IPM：完成了DBC封裝工藝平臺(tái)的開發(fā)和封裝外形拓展，產(chǎn)品外形進(jìn)一步完善，達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，在白色家電、工業(yè)控制領(lǐng)域大力推廣得到廣泛應(yīng)用。

關(guān)于重點(diǎn)產(chǎn)品研發(fā)計(jì)劃如下：

1.加快新一代載流子存儲(chǔ)IGBT產(chǎn)品系列化，加速超結(jié)MOS、中低壓SGT MOS和高密度低壓Trench MOS產(chǎn)品推廣。結(jié)合自主IDM模式8寸線工藝平臺(tái)，研發(fā)新一代多層外延超結(jié)技術(shù)，進(jìn)一步提高電流密度。繼續(xù)深耕光伏、工業(yè)控制、白色家電、新能源汽車等領(lǐng)域。

2.推出新一代高密智能功率模塊IPM產(chǎn)品，進(jìn)一步加強(qiáng)與白色家電頭部客戶的合作；大力推廣PM模塊產(chǎn)品，在工業(yè)控制、光伏風(fēng)電及新能源汽車領(lǐng)域批量應(yīng)用。

3.開發(fā)新一代100V/650VGaN功率器件，功率密度提升30%，達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平；開發(fā)SiC MOSFET工藝技術(shù)及產(chǎn)品，在工業(yè)及新能源領(lǐng)域布局。

4.依托現(xiàn)有四寸晶圓平臺(tái)，加大1800V-2200V平面175℃結(jié)溫高壓整流二極管及模塊產(chǎn)品開發(fā)及推廣力度；傳統(tǒng)的BJT產(chǎn)品逐步向以集成電阻、達(dá)林頓結(jié)構(gòu)、MOS+BJT結(jié)構(gòu)等新型結(jié)構(gòu)方向轉(zhuǎn)型，以適應(yīng)市場(chǎng)多元化需求，同時(shí)開發(fā)新應(yīng)用方向，向中高頻方向拓展。

5.持續(xù)不斷深入優(yōu)化FRD產(chǎn)品、SBD產(chǎn)品以及平面高壓MOS產(chǎn)品性能，在不斷完善現(xiàn)有產(chǎn)品平臺(tái)基礎(chǔ)之上開發(fā)具有正溫度系數(shù)FRD產(chǎn)品平臺(tái)，開發(fā)具有高極限能力及可靠性的FRD系列產(chǎn)品及模塊，開發(fā)1500V至3000V高壓平面MOS產(chǎn)品平臺(tái)以及具有高抗沖擊特性的TrenchSBD產(chǎn)品平臺(tái)。

6.拓展具有高dv/dt能力、強(qiáng)電流沖擊承受能力的高結(jié)溫平面結(jié)構(gòu)SCR產(chǎn)品系列，更好地為高端白色家電領(lǐng)域、新能源車載充電領(lǐng)域、工業(yè)控制領(lǐng)域重點(diǎn)客戶提供產(chǎn)品解決方案。

針對(duì)半導(dǎo)體人才競(jìng)爭(zhēng)激烈的現(xiàn)狀，于勝東表示，華微電子多措并舉，通過選、用、育、留全方位努力，引進(jìn)、培養(yǎng)、穩(wěn)定人才隊(duì)伍，給予人才足夠的認(rèn)可與支持，打造企業(yè)人才核心競(jìng)爭(zhēng)力。

在談及今年的市場(chǎng)格局時(shí)，夏增文說，功率半導(dǎo)體器件是全球第二大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，是工業(yè)加工、汽車制造、無線通訊、消費(fèi)電子、電網(wǎng)輸變電和新能源等應(yīng)用領(lǐng)域的核心，是我國(guó)的支柱性、戰(zhàn)略性、前瞻性產(chǎn)業(yè)。近年來，由于國(guó)際貿(mào)易形勢(shì)較為復(fù)雜，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略地位尤為突出，半導(dǎo)體科技自主可控與國(guó)產(chǎn)化替代成為國(guó)家科技自立自強(qiáng)、安全智能綠色發(fā)展的剛需。在科技發(fā)展與國(guó)家戰(zhàn)略的雙輪驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)強(qiáng)勁發(fā)展趨勢(shì)。

據(jù)夏增文介紹，2023年，華微電子將快速推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合，以八英寸項(xiàng)目為核心，向上游拓展推進(jìn)外延項(xiàng)目，保障供應(yīng)鏈安全可控；向下游拓展推動(dòng)封裝項(xiàng)目，建立汽車電子封裝專線。從而形成吉林功率半導(dǎo)體完整、堅(jiān)韌的產(chǎn)業(yè)鏈，加強(qiáng)半導(dǎo)體自主可控。

華微電子將持續(xù)研發(fā)新型功率器件、模塊、寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，加速形成以汽車電子、工業(yè)控制、新能源、高端裝備制造、網(wǎng)絡(luò)通信、智能家電等戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域?yàn)橹匦牡纳a(chǎn)基地，實(shí)現(xiàn)高端領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化替代。華微電子將以市場(chǎng)為導(dǎo)向，實(shí)施全鏈條垂直整合，推進(jìn)人才鏈、創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、價(jià)值鏈的深度融合，著力打造國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)基地。