近日，據“湖北新聞”透露，長飛先進武漢基地項目預計今年6月封頂，明年7月投產，達產后預計可年產36萬片6英寸SiC晶片及外延片、年產6100萬個功率器件模塊。

據悉，2023年8月25日，武漢市東湖高新區(qū)管委會與長飛先進半導體簽署了第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目合作協議書。長飛先進第三代半導體功率器件研發(fā)生產基地項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。

值得一提的是，2023年5月，長飛先進半導體明確提出“All in SiC-十年黃金賽道”的發(fā)展戰(zhàn)略，全面發(fā)力SiC賽道。當年7月，長飛先進半導體SiC戰(zhàn)略項目（KO）A樣品達到預期設計目標，標志著長飛先進半導體擁有車規(guī)級SiC MOSFET產品自主研發(fā)能力。

據了解，長飛先進擁有完全自主知識產權的1200V Gen3 SiC MOSFET設計及工藝平臺，15mohm產品比導通電阻（Ron，sp）已達3.4mΩ·cm2，躋身國際先進水平。除此之外，長飛先進基于該平臺的主驅SiC MOSFET晶圓產品良率達80%。

2023年12月，長飛先進首顆自研產品1200V 20A SiC SBD正式進入試產階段，標志著長飛先進已具備SiC產品自主研發(fā)及量產能力。