6月21日，合肥芯谷微電子股份有限公司微波器件及模組項(xiàng)目主廠房封頂。

合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)官方消息顯示，2023年5月18日上午，合肥芯谷微電子股份有限公司微波器件及模組項(xiàng)目開(kāi)工儀式在合肥高新區(qū)舉行。

據(jù)此前合肥日?qǐng)?bào)報(bào)道，“芯谷微項(xiàng)目”位于合肥高新區(qū)長(zhǎng)安路與大龍山路交口東北角，占地55畝，建筑面積6.6萬(wàn)平方米，總投資額約11億元。規(guī)劃建設(shè)微波器件廠房、模組廠房、綜合動(dòng)力站及倒班宿舍等。項(xiàng)目主要從事基于砷化鎵等材料的射頻微波芯片的設(shè)計(jì)、微波模塊和組件的設(shè)計(jì)及制造。主要產(chǎn)品有放大器、微波開(kāi)關(guān)、衰減器、移相器、倍頻器、微波模塊和組件等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信、雷達(dá)、電子對(duì)抗、制導(dǎo)等領(lǐng)域，建成后可年產(chǎn)芯片3000萬(wàn)顆，組件20000套。

合肥芯谷微電子股份有限公司網(wǎng)站顯示，該公司成立于2014年11月，在微波、毫米波集成電路芯片的研發(fā)和生產(chǎn)上堅(jiān)持自主創(chuàng)新，基于國(guó)內(nèi)外先進(jìn)穩(wěn)定的GaAs(砷化鎵）和GaN(氮化鎵）工藝線，芯谷微電子具備超寬帶的低噪聲放大器、超寬帶功率放大器、高線性功率放大器、高功率GaN管芯、高功率內(nèi)匹配管放大器（IMFETs)、多功能芯片、開(kāi)關(guān)、衰減器、移相器、倍頻器、混頻器、VCO等微波、毫米波集成芯片電路的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及批量生產(chǎn)能力，并基于自有芯片，設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)及批量生產(chǎn)微波組件產(chǎn)品。