6月21日，合肥芯谷微電子股份有限公司微波器件及模組項目主廠房封頂。合肥高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會官方消息顯示，2023年5月18日上午，合肥芯谷微電子股份有限公司微波器件及模組項目開工儀式在合肥高新區(qū)舉行。

據(jù)此前合肥日報報道，“芯谷微項目”位于合肥高新區(qū)長安路與大龍山路交口東北角，占地55畝，建筑面積6.6萬平方米，總投資額約11億元。規(guī)劃建設微波器件廠房、模組廠房、綜合動力站及倒班宿舍等。項目主要從事基于砷化鎵等材料的射頻微波芯片的設計、微波模塊和組件的設計及制造。主要產(chǎn)品有放大器、微波開關、衰減器、移相器、倍頻器、微波模塊和組件等，產(chǎn)品廣泛應用于無線通信、雷達、電子對抗、制導等領域，建成后可年產(chǎn)芯片3000萬顆，組件20000套。

合肥芯谷微電子股份有限公司網(wǎng)站顯示，該公司成立于2014年11月，在微波、毫米波集成電路芯片的研發(fā)和生產(chǎn)上堅持自主創(chuàng)新，基于國內外先進穩(wěn)定的GaAs(砷化鎵）和GaN(氮化鎵）工藝線，芯谷微電子具備超寬帶的低噪聲放大器、超寬帶功率放大器、高線性功率放大器、高功率GaN管芯、高功率內匹配管放大器（IMFETs)、多功能芯片、開關、衰減器、移相器、倍頻器、混頻器、VCO等微波、毫米波集成芯片電路的設計、開發(fā)及批量生產(chǎn)能力，并基于自有芯片，設計、開發(fā)及批量生產(chǎn)微波組件產(chǎn)品。