7月5日，株洲諾天電熱科技有限公司碳化硅半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目主體結(jié)構(gòu)順利封頂。株洲諾天電熱科技有限公司碳化硅半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目備案證明顯示，該項目總投資1.5億元。

碳化硅半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目位于株洲市天元區(qū)栗塘路以東、樂山大道以西、湘蓮大道以南、創(chuàng)業(yè)一路以北，項目用地面積約14041平方米，建筑面積約11200平方米，主要建設內(nèi)容為建設碳化硅設備研發(fā)及深度加工、高純碳化硅基材的生產(chǎn)基地，以半導體變流技術(shù)為依托，集科研開發(fā)、生產(chǎn)經(jīng)營為一體的科技型產(chǎn)業(yè)集群。

株洲高科集團消息顯示，3月21日，株洲高科建設工程有限公司成功中標碳化硅半導體設備與基材生產(chǎn)基地項目，中標金額為2078萬元。該項目由株洲諾天電熱科技有限公司投資建設，建設內(nèi)容包括工業(yè)廠房及配套辦公設施建設，總建筑面積為11211.89平方米。