7月24日,湖南三安半導體迎來了又一重要里程碑——芯片二廠M6B設備的入場儀式。在這個值得紀念的日子里,電力電子事業(yè)部總經(jīng)理、湖南三安總經(jīng)理江協(xié)龍先生與公司的高管團隊、各部門主管以及核心員工齊聚一堂,共同見證了這一激動人心的時刻。
江協(xié)龍先生在儀式上發(fā)表講話,他指出,M6B的成功建成和投產(chǎn)不僅是公司發(fā)展史上的一個標志性事件,更是一個嶄新的起點。站在這個新的起點上,湖南三安將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅動的發(fā)展理念,不斷優(yōu)化和提升生產(chǎn)能力。在擴大產(chǎn)能的同時,公司也將致力于提高產(chǎn)品質量,力爭打造國內(nèi)領先的8英寸SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。
這一舉措預示著湖南三安SiC項目二期工程的即將全面貫通,為加速8英寸SiC產(chǎn)業(yè)布局、實現(xiàn)產(chǎn)線的正式投產(chǎn)奠定了堅實的基礎。隨著M6B設備的入場,湖南三安將進一步提升其在SiC領域的競爭力,滿足市場對高性能SiC芯片的不斷增長的需求。
三安團隊在M6B大樓前為進機剪彩
湖南三安半導體的SiC項目總投資高達160億人民幣,目標是構建一個兼容6英寸和8英寸SiC晶圓的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合量產(chǎn)平臺。一旦項目全面達產(chǎn),公司將擁有年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶圓和48萬片8英寸SiC晶圓的強大制造能力。
M6B作為該項目的關鍵組成部分,其投產(chǎn)情況自然成為業(yè)界關注的焦點。預計到今年12月,M6B將實現(xiàn)設備點亮和通線,屆時8英寸SiC芯片將正式投產(chǎn),標志著湖南三安半導體將正式邁入8英寸SiC垂直整合制造商的行列。
未來,三安將充分發(fā)揮自身優(yōu)勢,加大研發(fā)投入,提高產(chǎn)能,共同推動8吋SiC芯片領域的發(fā)展。在市場拓展利好消息的加持下,三安有望加速8吋SiC從材料到器件模塊直至終端應用全流程的落地實施,為我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入強大動力。