9月4日，據(jù)寧波股權交易中心官微消息，浙江萃錦半導體有限公司（以下簡稱：萃錦半導體）的母公司寧波萃錦科技發(fā)展有限公司正在籌劃建設面積4.2萬平方米的功率器件制造廠房，采用功率半導體中后道特色工藝（FSM+BGBM），打造功率器件生產(chǎn)基地。 

萃錦半導體采用Smart IDM模式，專注于新一代功率半導體的芯片設計、器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和應用服務。其致力于在新能源汽車、算力、儲能、風電、工業(yè)驅(qū)動等領域，提供高可靠、高性能的分立器件、模塊和板級方案，產(chǎn)品包括600V-2000V電壓平臺的碳化硅MOSFET和模塊,、硅基超結SJ MOS、IGBT分立器件和模塊、新型合封功率芯片和板級系統(tǒng)方案等。在供應鏈方面，萃錦半導體擁有海外成熟量產(chǎn)的碳化硅代工廠，每月可提供1000片以上的MOSFET，通過新籌建工廠的功率芯片中后道特色工藝線，萃錦半導體能夠?qū)⑻蓟鐼OSFET的月產(chǎn)能提升至3000片。

合作方面，2022年3月，萃錦半導體與湖南功率半導體創(chuàng)新中心簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。該創(chuàng)新中心擁有功率模塊封裝設計中心、試制中心、檢測中心（其中檢測中心已獲得CNAS資質(zhì)），可以滿足先進封裝工藝的開發(fā)和車規(guī)級全套可靠性測試。    研發(fā)進展方面，2022年6月6日，萃錦半導體生產(chǎn)出首款碳化硅模塊樣品，樣品通過全部動靜態(tài)參數(shù)測試，性能指標完全達到設計要求。該碳化硅模塊采用1200V碳化硅MOSFET芯片、三相全橋拓撲結構，引入低感設計、雙面銀燒結、銅線鍵合、高溫灌封等技術，具有低雜散電感、優(yōu)異的熱管理結構、超低損耗、高輸出功率、高可靠性等特點。