10月14日，據(jù)“成都發(fā)布”官微消息，萊普科技的全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目目前正處于內外裝施工階段，預計今年年底前完工，明年實現(xiàn)設備搬入、投產。
據(jù)介紹，該項目位于成都市高新區(qū)，總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米，于2023年10月開工建設，預計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達產。公開資料顯示，萊普科技成立于2003年，是國內集半導體激光裝備研發(fā)、制造、銷售和服務為一體的廠商。在功率半導體領域，萊普科技的硅基IGBT激光退火設備及碳化硅歐姆接觸激光退火設備與進口廠家同廠比對并勝出，銷售至株洲中車時代半導體、無錫華潤上華、上海積塔半導體等企業(yè)。
