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新潔能:SiC/GaN項目年底竣工投產(chǎn)

日期:2024-10-22 閱讀:490
核心提示:位于無錫市高新區(qū)(新吳區(qū))的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)。

 10月17日,據(jù)“無錫高新區(qū)在線”消息,位于無錫市高新區(qū)(新吳區(qū))的新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目即將竣工投產(chǎn)。

據(jù)悉,新潔能總部基地及產(chǎn)業(yè)化項目總投資13.5億元,用地面積約3.17萬平方米,建筑面積約5.4-5.7萬平方米,該項目于2023年1月開工建設,預計2024年底竣工投用。

該項目建成投產(chǎn)后,預計年產(chǎn)碳化硅/氮化鎵功率器件2640萬只;年產(chǎn)14.52億只IC及智能功率模塊(IPM)等功率集成模塊;年產(chǎn)362.6萬只SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規(guī)級)。預計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值16.66億元。

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