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芯谷第三代半導(dǎo)體設(shè)備項目主體結(jié)構(gòu)正式封頂

日期:2024-11-22 閱讀:468
核心提示:位于吳中區(qū)的芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項目——兩幢研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)正式封頂

 近日,位于吳中區(qū)的芯谷半導(dǎo)體研發(fā)智造項目——兩幢研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)正式封頂,預(yù)計明年12月底即可交付使用。

該項目占地面積110.9畝,建筑面積約30萬平方米,計劃總投資16.8億元,規(guī)劃建造2幢研發(fā)辦公樓、4幢高標(biāo)準(zhǔn)廠房。目前,廠房主體結(jié)構(gòu)已全部封頂,二次結(jié)構(gòu)完成60%;研發(fā)樓主體結(jié)構(gòu)已封頂,二次結(jié)構(gòu)完成50%,各項建設(shè)工作正在推進中。項目建成后將用于第三代半導(dǎo)體及集成電路專用設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)。

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