日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省已批準為汽車部件供應商DENSO Corp和電力電子制造商Fuji Electric Co Ltd提交的總額為2116億日元（14.1億美元）的計劃提供705億日元的補貼，用于日本公司共同投資和生產(chǎn)碳化硅（SiC）功率半導體。

為了應對電氣化趨勢，電裝公司開展了SiC技術(shù)開發(fā)項目，旨在提高從晶圓和器件芯片到模塊和逆變器的所有產(chǎn)品的質(zhì)量和效率。同時，富士電機已經(jīng)積累了廣泛的能力，從開發(fā)能夠提高電力電子設(shè)備效率和實現(xiàn)更緊湊設(shè)計的SiC功率半導體芯片，到相關(guān)模塊的批量生產(chǎn)。

根據(jù)批準的計劃，兩家公司將結(jié)合各自的汽車產(chǎn)品開發(fā)和生產(chǎn)技術(shù)能力，共同擴大在日本全國高效、穩(wěn)定供應 SiC 功率半導體的能力。生產(chǎn)基地將包括電裝的大安工廠（SiC晶片）和哥田工廠（SiC外延片）以及富士電機的松本工廠（SiC外延片和SiC功率半導體）。