在眾多寬禁帶半導體中，氧化鎵是唯一可用常壓、傳統(tǒng)熔體法做大尺寸晶體的寬禁帶半導體，具有生長速度快（1~2個數量級）、大規(guī)模量產成本低、可做高質量大尺寸晶體等優(yōu)點。與SiC、GaN相比，氧化鎵具有更大的禁帶寬度、擊穿場強、巴利加優(yōu)值，制作的功率器件具有更高的工作電壓、功率，以及更小的導通電阻和功耗。氧化鎵的硬度（6）與硅的硬度接近，可以用硅成熟的加工設備和技術（金剛線切割，CMP），具有高的加工效率和成品率，可顯著降低成本。氧化鎵已成為功率器件領域的“卡脖子”材料。 

近日，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦的“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。論壇圍繞功率半導體制造及供應鏈中的諸多關鍵問題，多方優(yōu)勢力量強強聯(lián)合，院士領銜，專家齊聚，攜手促進功率半導體全產業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。

  浙江大學教授、杭州鎵仁半導體有限公司董事長張輝

期間 ，“分論壇二：氮化鎵及其他功率半導體技術及應用“上，浙江大學教授、杭州鎵仁半導體有限公司董事長張輝，帶來了“大尺寸高質量氧化鎵單晶材料進展”主題報告，分享了氧化鎵單晶生長技術、直拉、鑄造及VB單晶生長研發(fā)等最新進展。報告指出，氧化鎵晶體生長方法種類繁多，鑄造和VB法在尺寸、成本、質量等諸多方面，均展現(xiàn)出規(guī)模產業(yè)化的極大潛力。

其團隊研究開發(fā)的鑄造法等技術已成功實現(xiàn)多種晶向，不同摻雜，大尺寸（6英寸）氧化鎵晶體的生長，可滿足各種外延，器件需求。根據測算，其現(xiàn)有技術量產后就可以將6英寸襯底成本做到2000元以下，進一步降低成本將會在2~3年內完成，為產業(yè)提供高質量、廉價襯底。高質量、低成本的襯底可以輔助同行攻克一些關鍵問題，比如缺陷行為、p型摻雜、大面積大電流器件。氧化鎵的產業(yè)化進程將逐漸加速，襯底、外延、器件、應用的結合應更為緊密，實現(xiàn)超越。

公司簡介

杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022年9月，是一家專注于氧化鎵等寬禁帶半導體材料研發(fā)、生產和銷售的科技型企業(yè)。鎵仁半導體依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室和浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心，已建成以中國科學院院士為首席顧問，具備豐富行業(yè)經驗的研發(fā)、生產、運營團隊。公司開創(chuàng)了氧化鎵單晶生長新技術，獲得 14 項國際、國內發(fā)明專利，打破了西方國家在氧化鎵襯底材料上的壟斷和封鎖。鎵仁半導體立足于解決國家重大需求，將深耕于氧化鎵上游產業(yè)鏈的持續(xù)創(chuàng)新，努力為我國的電力電子等產業(yè)的發(fā)展提供產品保障。 

鎵仁半導體引領行業(yè)創(chuàng)新，采用自主研發(fā)的鑄造法等單晶生長技術，實現(xiàn)6英寸氧化鎵單晶襯底和晶圓級（010）單晶襯底的生產技術突破，并開發(fā)了首臺包含工藝包的氧化鎵專用VB長晶設備。公司已掌握氧化鎵生長、加工、外延等全鏈條的核心技術，為客戶提供擁有完全自主知識產權的大尺寸高質量氧化鎵產品及設備。