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我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

中國(guó)首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過(guò)太空驗(yàn)證

中國(guó)太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗(yàn)證

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸氧化鎵單晶！

香港理大成功研發(fā)16位量子比特半導(dǎo)體微型處理器

上海微系統(tǒng)所成功開(kāi)發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

江蘇通用半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片

國(guó)內(nèi)首款！2Tb/s三維集成硅光芯粒成功出樣

豐田合成、大阪大學(xué)等成功制備6吋GaN襯底

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

器件新突破！香港科技大學(xué)教授陳敬團(tuán)隊(duì)成功研制一種融合氮化鎵和碳化硅二者優(yōu)點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)晶體管！

天津大學(xué)成功研發(fā)5.5G/6G多頻段多標(biāo)準(zhǔn)兼容毫米波芯片套片

廈大團(tuán)隊(duì)研制成功拓?fù)渥孕虘B(tài)光源芯片

重大進(jìn)展！中國(guó)團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動(dòng)低功耗頻率綜合器芯片

西安郵電大學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室成功制備高耐壓性能半導(dǎo)體材料

華中大團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)國(guó)內(nèi)首款全自主計(jì)算光刻EDA軟件

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

我國(guó)科學(xué)家成功制備白光鈣鈦礦發(fā)光二極管

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院成功研制新原理機(jī)器視覺(jué)增強(qiáng)芯片

浙江大學(xué)50 mm厚6英寸碳化硅單晶生長(zhǎng)獲得成功

廈大蔡端俊教授課題組在實(shí)驗(yàn)上第一次成功獲得二維半導(dǎo)體h-BN的n型導(dǎo)電

半導(dǎo)體材料研究新途徑？“下一代奇跡材料”石墨炔首創(chuàng)成功

蘭大團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)設(shè)計(jì)我國(guó)首個(gè)極大規(guī)模全異步電路芯片流片試生產(chǎn)成功

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

國(guó)際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

中國(guó)科大成功融合遠(yuǎn)距離量子密鑰分發(fā)和光纖振動(dòng)傳感

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

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