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許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直
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AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備
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2024-11-12 18:43
中國電科實現(xiàn)國產(chǎn)離子
注入
機28納米工藝制程全覆蓋
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2023-06-30 11:10
SiC工藝之質(zhì)子
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缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯難題
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2022-12-12 15:24
溝槽型SiC MOSFET 工藝流程及SiC離子
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2022-10-25 16:44
郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超
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2022-08-28 09:13
中國電科高能離子
注入
機研制獲重大突破 系芯片制造核心裝備
中國電科
高能
離子注入機
研制
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制造
核心裝備
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2020-06-28 09:31
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