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中國(guó)科大微電子學(xué)院在GaN
HEMT
開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2024-10-29 17:45
聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN
HEMT
s器件研制成功
評(píng)論 ?
2024-01-24 17:49
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN
HEMT
功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見
評(píng)論 ?
2022-10-08 15:10
深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極
HEMT
評(píng)論 ?
2022-09-22 08:56
東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN
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功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見
評(píng)論 ?
2022-09-19 17:45
技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵
HEMT
s
評(píng)論 ?
2022-09-15 17:03
Wolfspeed：GaN
HEMT
大信號(hào)模型
評(píng)論 ?
2022-08-23 10:55
西電張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)最新成果：基于p-SnO帽層?xùn)诺母唛撝翟鰪?qiáng)型AlGaN/GaN
HEMT
s
評(píng)論 ?
2021-12-22 16:28
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