日本國(guó)立佐賀大學(xué)同步輻射光應(yīng)用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來(lái)了題為超寬禁帶氧化半導(dǎo)體的生長(zhǎng)和特性的主題報(bào)告。郭其新主要從事半導(dǎo)體材料制備與表征，同步輻射光應(yīng)用研究。報(bào)告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)和特性。通過(guò)對(duì)于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動(dòng)電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時(shí)，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的