高溫、高功率寬帶隙半導體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。