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劉婷：Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped

視頻WBSC 20212025-01-10 11:58
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Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學電子學系，北京化工大學數(shù)理學院
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