亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

  • 大連理工大學(xué)教授王德
    SiC MOS器件氧化后退火新途徑低溫再氧化退火技術(shù)A new approach of post-oxidation annealing for SiC MOS devices -- the low-temperature re-oxidation annealing technology王德君大連理工大學(xué)教授Wang DejunProfessor of Dalian University of Technology
    69800
    limit2022-05-01 10:00
  • 中電科四十八所半導(dǎo)體
    SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創(chuàng)新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導(dǎo)體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation
    66400
    limit2022-05-01 09:57
  • 欣銳科技董事長吳壬華
    SiC器件在新能源汽車產(chǎn)業(yè)中的應(yīng)用Application of SiC devices in the new energy automobile industry吳壬華深圳欣銳科技股份有限公司董事長WURenhuaChairofthe Board, SHINRY
    57800
    limit2022-05-01 09:54
  • 復(fù)旦大學(xué)特聘教授張清
    SiC器件和模塊的最新進展RecentAdvancesofSiCPowerDevices張清純復(fù)旦大學(xué)特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任Jon Zhang--Distinguished Professor of Fudan University
    66500
    limit2022-05-01 09:48
  • 廈門大學(xué)張榮教授：Ⅲ
    Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體光電子器件的幾個科學(xué)問題張榮--廈門大學(xué)校長、教授
    98600
    limit2022-01-31 13:44
  • 視頻報告 2017---功率
    美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)
    99600
    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報告 2018】周
    美國倫斯勒理工學(xué)院的周達成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；
    257000
    limit2021-04-29 12:25
  • 【視頻報告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進展》主題報告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景?；A(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過一個系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測試，每一個環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進行，確
    86500
    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。
    84400
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】臺
    【極智報告】臺灣長庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
    96500
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】AIX
    一直以來，高功率密度電動汽車電力驅(qū)動系統(tǒng)是新一代大功率電動汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應(yīng)用，將對新一代電動汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學(xué)教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應(yīng)用中的加速采用的報告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。
    134600
    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2018】電
    電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動技術(shù)的報告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進展。
    97700
    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
    125400
    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告 2019】Ism
    視頻簡介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
    76700
    limit2021-04-29 10:23
  • 【極智課堂】西安電子
    西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻
    145500
    limit2020-02-01 16:23
  • 美國NAURA-Akrion, In
    美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對于襯底的選擇性。對于過去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因為其化學(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型
    212500
    limit2019-12-31 13:02
  • 加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)
    加拿大CROSSLIGHT半導(dǎo)體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設(shè)計和TCAD模擬》研究報告。早年經(jīng)華人諾獎得主李政道博
    324500
    limit2019-12-30 13:04
  • 英諾賽科研發(fā)中心副總
    英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報告
    222800
    limit2019-12-30 13:03
  • 日本德島大學(xué)教授敖金
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平分享了《常關(guān)型AlGaN/GaN HFET功率器件的發(fā)展》技術(shù)報告。敖金平博士1989年畢
    322800
    limit2019-12-29 13:00
聯(lián)系客服 投訴反饋  頂部