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高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級經(jīng)理

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾囉陔p向開關(guān)而幾乎不需要其他被動組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)