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  • 國(guó) PowerAmerica 執(zhí)
    加快碳化硅芯片和電力電子器件的商業(yè)化發(fā)展Accelerating Commercialization of SiC Chips and Power ElectronicsVictor VELIADIS美國(guó)PowerAmerica執(zhí)行董事兼CTO、ICSCRM 2024 大會(huì)主席、北卡羅萊納州立大學(xué)教授、IEEE寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖委員會(huì)(ITRW)主席Victor VELIADISExecutiveDirector and CTO of PowerAmerica, Chair of ICSCRM 2024, Professor of North Carolina State Universityand Chair of ITRW ( IEEE Wide Ban
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    IFWS2025-01-09 15:39
  • 國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)
    中高壓(1-10 kV)氮化鎵功率器件新進(jìn)展New Progress in Medium and High Voltage (1-10 kV) GaN Power Devices張宇昊美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)助理教授ZHANG Yuhao Assistant Professor, Virginia Tech University
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    guansheng2023-05-22 15:01
  • 國(guó)工程院院士Fred L
    Is WBG a Game Changer for Power Electronics IndustryFred LEE美國(guó)弗吉尼亞理工大學(xué)的大學(xué)特聘教授、美國(guó)工程院院士、美國(guó)國(guó)家發(fā)明家院士、中國(guó)工程院外籍院士Fred LEEDistinguished Professor Emeritus at Virginia Tech, USA; Member of the National Academy of Engineering (USA), Member of National Academy of Inventors (USA), Foreign Member of Chinese Academy of Engineering
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    guansheng2023-05-19 09:43
  • 國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工
    Adding efficiency to electronics with III-Nitride technologySrabanti CHOWDHURY美國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工程副教授Srabanti CHOWDHURYAssociate Professor of Electrical Engineering and Senior Fellow at the Precourt Institute for Energy, USA
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    guansheng2023-05-18 11:50
  • 國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教
    碳化硅芯片會(huì)在 2025-2030 年被電動(dòng)汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會(huì)士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
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    limit2022-05-01 09:55
  • 視頻報(bào)告 2018--國(guó)
    2018年10月23日下午,第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇(SSLCHINA 2018)暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2018)開幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題,吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明,第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與,共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)、深圳市龍
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    limit2021-04-29 12:37
  • 國(guó)NAURA-Akrion, In
    美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官Ismail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中,相對(duì)惰性化合物(比如Si3N4)通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過(guò)去的20年,研究發(fā)現(xiàn)碳化硅(SiC)因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器,壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型
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    limit2019-12-31 13:02
  • 的集團(tuán)林世紅:紫外
    美的集團(tuán)林世紅:紫外LED在白色家電領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展及面臨問(wèn)題
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    limit2019-05-31 17:39
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