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MgO（100）上生長(zhǎng)柱狀納米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高靈敏度日盲探測(cè)器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大學(xué)教授HE YunbinProfessor of Hubei University

OMMIC公司董事長(zhǎng)、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎(chǔ)研發(fā)部部長(zhǎng)王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產(chǎn)品》主題報(bào)告，報(bào)告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來(lái)綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達(dá)35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來(lái)演示這些工藝的性能

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) -Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果?；谛脱趸壦a(chǎn)的一些器件在能源使用中發(fā)揮著重要的作用。能源使用的安全性是一個(gè)重要問(wèn)題，在自然能源不斷減少，價(jià)格不斷上升的背景下，我們需要找到一個(gè)更加有效的方式來(lái)利用能源。當(dāng)前在高電壓應(yīng)用領(lǐng)域，包括高鐵和智能電網(wǎng)等，硅仍然是主導(dǎo)材料，但有一定局限性，比如禁帶比較窄等。與寬禁帶材料相比，有弱勢(shì)的地方。