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  • 【視頻報告 2018】加
    與功率MOS場效應(yīng)晶體管相比，驅(qū)動氮化鎵功率晶體管存在諸多困難，這些困難包括閾值電壓低、最大柵極電壓和額定柵極電壓之間的公差狹小、高轉(zhuǎn)換速率帶來的電流變化率和電壓變化率問題?，F(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路需要外部電阻器設(shè)定上拉速度和下拉速度，這將導(dǎo)致印刷電路板空間和額外寄生效應(yīng)的增加。現(xiàn)有的氮化鎵驅(qū)動集成電路的其他缺陷諸如固定的輸出電壓、無精確定時控制能力等也限制了其應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2018】北
    垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。
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    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2018】電
    電子科技大學(xué)教授明鑫帶來了功率GaN器件驅(qū)動技術(shù)的報告，分享了該技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領(lǐng)域的研究動態(tài)以及研究成果。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告 2019】南
    南京大學(xué)教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測器及其應(yīng)用進(jìn)展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設(shè)計和制造方面的最新工作。
    176300
    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告 2019】Ism
    視頻簡介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
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    limit2021-04-29 10:23
  • 【極智課堂】芯謀研究
    芯謀研究總監(jiān)李國強 《功率半導(dǎo)體的市場分析》
    33500
    limit2021-04-26 16:21
  • 【視頻報告】英諾賽科
    英諾賽科科技有限公司董事長駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
    45000
    limit2021-04-26 15:05
  • 國際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
    論壇將邀請來自產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的專家就各自領(lǐng)域的技術(shù)現(xiàn)狀、應(yīng)用趨勢與挑戰(zhàn)進(jìn)行了精彩解析，并在論壇中進(jìn)行《2020新基建風(fēng)口下第
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    limit2020-08-27 13:54
  • 三安集成陳東坡博士：
    化合物半導(dǎo)體是未來核心材料，市場逐步擴大，全球各大廠商都在布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領(lǐng)
    144800
    limit2020-03-31 12:35
  • 【視頻報告 2019】天
    報告嘉賓：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長研究及產(chǎn)業(yè)進(jìn)展》
    161000
    limit2020-03-19 10:27
  • 意大利ORCHESTRA總裁G
    報告簡介工業(yè)4.0：對于電子工業(yè)和產(chǎn)品的大好時機 INDUSTRY4.0 as A Major Opportunity for Electronics Processes and Products Guido COLOMBO意大利ORCHESTRA總裁 Guido COLOMBOPresidentCEO of ORCHESTRA, Italy
    567900
    limit2020-03-10 10:22
  • 【視頻報告】廈門大學(xué)
    報告簡介單晶4H型碳化硅臺階生長機理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門大學(xué)副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University
    226800
    limit2020-03-08 10:21
  • 【視頻報告】北京大學(xué)
    北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
    132100
    limit2020-02-02 16:27
  • 西安衛(wèi)光科技微晶微電
    西安衛(wèi)光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》
    125600
    limit2020-02-02 16:22
  • 【視頻】西安交通大學(xué)
    西安交通大學(xué)副教授李強做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開關(guān)行為等內(nèi)容。 報告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。
    153500
    limit2020-02-01 16:25
  • 【視頻報告】鄭州大學(xué)
    鄭州大學(xué)教授劉玉懷做了題為氮化鋁/藍(lán)寶石模板上六方氮化硼薄膜的有機金屬氣相外延研究的報告，介紹了多層h-BN膜的表面和結(jié)晶度、微觀結(jié)構(gòu)和鍵合結(jié)構(gòu)。h-BN在AlN上的生長模型等研究內(nèi)容。研究成功證明了通過脈沖模式MOVPE在AlN模板上直接生長單晶多層h-BN，在AlN表面上形成連續(xù)和聚結(jié)的多層h-BN，提出了初始帽形核的生長模型，然后在AlN上進(jìn)行h-BN的二維橫向生長。
    210700
    limit2020-02-01 16:24
  • 瑞士MicrodiamantChri
    瑞士Microdiamant研發(fā)部門負(fù)責(zé)人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應(yīng)用及其關(guān)鍵工藝技術(shù)的主題報告，報告表示，碳化硅業(yè)務(wù)的主要目標(biāo)是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產(chǎn)品品質(zhì)優(yōu)劣以及關(guān)鍵的流程步驟等內(nèi)容。
    211100
    limit2020-02-01 16:23
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