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面向柔性顯示與傳感的有機(jī)薄膜晶體管器件與陣列集成Organic Thin Film Transistor Device and Array Integration for Flexible Display and Sensing郭小軍上海交通大學(xué)教授GUO XiaojunProfessor of Shanghai Jiaotong University

加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到，基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率，與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外，Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。

復(fù)旦大學(xué)副教授張樹宇在《135%NTSC色域的CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜》主題報(bào)告中表示，全無機(jī)CsPbX3 (X=I, Br, Cl)鈣鈦礦量子點(diǎn)(QDs)由于其優(yōu)異的光學(xué)性能，包括極高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、狹窄的譜線寬度和廣泛的可調(diào)發(fā)射，很可能成為下一代量子點(diǎn)顯示技術(shù)。在制造過程中避免高溫和惰性氣氛的新方法是室溫(RT)再結(jié)晶，為低成本大批量生產(chǎn)CsPbX3 QDs提供了一條很有前途的途徑。然而，RT合成的QDs在工作條件下的穩(wěn)定性性能與傳統(tǒng)QDs不具

北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領(lǐng)域中的開發(fā)及應(yīng)用》主題報(bào)告。

深圳大道半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)李剛帶來了薄膜倒裝芯片及其芯片級(jí)封裝與應(yīng)用的報(bào)告，分享了一系列制備薄膜倒裝芯片的關(guān)

廈門大學(xué)副教授林岳分享了聚合物薄膜中MAPbBr3量子點(diǎn)降解的研究成果，合成了聚合物包覆MAPbBr3量子點(diǎn)（平均直徑3nm），通過研究

同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray