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張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
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張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
基于寬禁帶半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)的物理效應(yīng)與器件應(yīng)用張榮教授廈門大學(xué)
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limit2022-01-10 13:09
郝躍：寬禁帶與超寬
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郝躍：寬禁帶與超寬
寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體電子器件若干新進(jìn)展郝躍院士西安電子科技大學(xué)
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limit2022-01-10 13:08
黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
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黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
《GaN基增強(qiáng)型HEMT器件關(guān)鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學(xué)光電工程與儀器科學(xué)學(xué)院
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limit2022-01-10 11:07
孫瑞澤：全氮化鎵集成
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孫瑞澤：全氮化鎵集成
《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬軍，張波單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，電子科技大學(xué)四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心
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limit2022-01-10 10:39
郭煒：III族氮化物極
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郭煒：III族氮化物極
《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)
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limit2022-01-10 10:22
湯瀟：全溶液法沉積柔
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湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
朱志甫：10BN中子探測
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朱志甫：10BN中子探測
《10BN中子探測材料生長與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
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limit2022-01-07 14:20
陳鵬：GaN基肖特基功
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陳鵬：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 13:31
徐尉宗：具有高可靠感
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徐尉宗：具有高可靠感
《具有高可靠感生能量泄放能力的AlGaN/GaN基功率器件研制》作者：徐尉宗，周峰，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
15700
limit2022-01-07 11:50
葉建東：氧化鎵基雙極
3460
葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 11:41
李天義：SiC紫外單光
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李天義：SiC紫外單光
《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
16200
limit2022-01-07 10:26
汪萊：寬禁帶半導(dǎo)體異
1180
汪萊：寬禁帶半導(dǎo)體異
《寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)嫁接及其器件應(yīng)用》作者：劉洋，汪萊，郝智彪，羅毅單位：清華大學(xué)電子工程系
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limit2022-01-07 10:12
楚春雙：基于III族氮
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楚春雙：基于III族氮
《基于III族氮化物的深紫外光電轉(zhuǎn)換器件的研究》作者：楚春雙，張勇輝，高元斌，杭升，黃福平，張紫輝單位：河北工業(yè)大學(xué)省部共建電工裝備可靠性與智能化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院
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limit2022-01-07 08:50
周玉剛：基于Ag、Mg金
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周玉剛：基于Ag、Mg金
《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者：周玉剛，潘賽，郭焱，金楠，許朝軍，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
15800
limit2022-01-06 11:46
蔡端?。簹湓貙ι钭?/p>
3290
蔡端俊：氫元素對深紫
《氫元素對深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩強(qiáng)，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
32900
limit2022-01-06 11:45
吳雅蘋：氮化物半導(dǎo)體
590
吳雅蘋：氮化物半導(dǎo)體
《氮化物半導(dǎo)體自旋調(diào)控及其器件應(yīng)用》作者：吳雅蘋，宋安柯，吳啟鵬，林滌，李煦，吳志明，康俊勇單位：廈門大學(xué)物理系
5900
limit2022-01-06 10:27
李強(qiáng)：hBN薄膜的磁控
860
李強(qiáng)：hBN薄膜的磁控
《hBN薄膜的磁控濺射制備及器件應(yīng)用》作者：李強(qiáng)，張啟凡，張浩然，王茗迪，云峰單位：西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
8600
limit2022-01-06 10:12
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
1760
歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學(xué)
17600
limit2022-01-05 17:43
方志來：P型氮摻雜β-
2790
方志來：P型氮摻雜β-
《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，復(fù)旦大學(xué)光電研究院，工程與應(yīng)用技術(shù)研究院
27900
limit2022-01-05 17:41
龍世兵：超寬禁帶氧化
3430
龍世兵：超寬禁帶氧化
《超寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
34300
limit2022-01-05 17:12

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