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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
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沈波：高質(zhì)量 AlN 單
《高質(zhì)量 AlN 單晶襯底和外延薄膜的制備》沈波教授北京大學(xué)
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limit2022-01-11 17:23
俞冬雷：高效P型摻雜
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俞冬雷：高效P型摻雜
《高效P型摻雜鎂源特性及外延中應(yīng)用優(yōu)劣分析》作者：俞冬雷, 徐昕，王偉，李強(qiáng)強(qiáng)，王宏波，鄭銳單位：安徽亞格盛電子新材料有限公司
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limit2022-01-10 10:57
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
21700
limit2022-01-07 14:59
李忠輝：新型Al(Ga)N/
2130
李忠輝：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
21300
limit2022-01-07 11:15
何云斌：ZnO多元合金
1750
何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
17500
limit2022-01-07 10:19
張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
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張濤：MOCVD異質(zhì)外延G
《MOCVD異質(zhì)外延Ga2O3薄膜及其相變的研究》作者：張濤，胡志國，程倩，馮倩，張雅超，張進(jìn)成單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
7800
limit2022-01-06 11:39
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
2200
李悅文：亞穩(wěn)相正交結(jié)
《亞穩(wěn)相正交結(jié)構(gòu)-Ga2O3薄膜的異質(zhì)外延研究》作者：李悅文，修向前，許萬里，施佳城，朱宇霞，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
22000
limit2022-01-06 11:09
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
2270
吳亮：PVT法同質(zhì)外延
《PVT法同質(zhì)外延生長高質(zhì)量2英寸Al極性AlN單晶研究》作者：李哲，張剛，雷丹，黃嘉麗，付丹揚(yáng)，王琦琨，吳亮單位：奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司
22700
limit2022-01-06 11:02
余燁：面向長波長LED
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余燁：面向長波長LED
《面向長波長LED應(yīng)用的石墨烯/SiC襯底上應(yīng)變弛豫GaN薄膜的外延生長研究》作者：余燁，于佳琪，鄧高強(qiáng)，張寶林，張?jiān)礉龁挝唬杭执髮W(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
17400
limit2022-01-06 10:56
劉志強(qiáng)：氮化物“異構(gòu)
1980
劉志強(qiáng)：氮化物“異構(gòu)
《氮化物異構(gòu)外延》作者：劉志強(qiáng)，高鵬，伊?xí)匝?，閆建昌，魏同波，王軍喜，劉忠范，李晉閩單位：中科院半導(dǎo)體所，北京大學(xué)，北京石墨烯研究院
19800
limit2022-01-06 10:50
王新強(qiáng)：二維材料上氮
2680
王新強(qiáng)：二維材料上氮
《二維材料上氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延界面調(diào)控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠(yuǎn)，盛博文，榮新，陳兆營，劉開輝，李新征，沈波，王新強(qiáng)單位：北京大學(xué)
26800
limit2022-01-06 10:48
張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
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張文瑞：介穩(wěn)態(tài)氧化鎵
《介穩(wěn)態(tài)氧化鎵薄膜的外延生長與異質(zhì)集成》作者：張文瑞單位：中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
3200
limit2022-01-06 10:26
寧靜：范德華外延氮化
2490
寧靜：范德華外延氮化
《范德華外延氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)與光電集成》作者：寧靜，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
24900
limit2022-01-06 10:19
馬騁：硅基氮化鎵外延
2430
馬騁：硅基氮化鎵外延
《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
24300
limit2022-01-05 16:53
劉建勛：大尺寸硅基Ga
2570
劉建勛：大尺寸硅基Ga
《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
25700
limit2022-01-05 16:49
程凱：新型GaN外延結(jié)
2260
程凱：新型GaN外延結(jié)
《新型GaN外延結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用》作者：程凱單位：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司
22600
limit2022-01-05 13:18
陳荔：基于高溫?zé)嵬嘶?/p>
2180
陳荔：基于高溫?zé)嵬嘶?/a>
《基于高溫?zé)嵬嘶鸺夹g(shù)的半極性AlN外延薄膜缺陷演化研究》作者：陳荔，郭煒，林偉，陳航洋，康俊勇，葉繼春單位：中國科學(xué)院寧波
21800
limit2022-01-05 11:02
魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
1680
魏同波：石墨烯驅(qū)動(dòng)的
《石墨烯驅(qū)動(dòng)的應(yīng)力工程實(shí)現(xiàn)用于深紫外LED的無應(yīng)變AlN薄膜的高質(zhì)量外延》作者：常洪亮，魏同波，王軍喜，李晉閩單位：中國科學(xué)院
16800
limit2022-01-05 10:53

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