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GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業(yè)大學(xué)教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

Critical aspects of deep-UV LED design and operation深紫外LED仿真設(shè)計及操作關(guān)鍵技術(shù)進展茅艷琳蘇州思體爾軟件科技有限公司技術(shù)支持工程師Yanlin MaoTechnical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led.

AlGaN基深紫外發(fā)光器件設(shè)計與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國家級國際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國際聯(lián)合實驗室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。

桂林電子科技大學(xué)機電工程學(xué)院院長、教授楊道國帶來了題為電子封裝中界面層裂的仿真模擬與表征的報告，分享了該領(lǐng)域的最新研究成

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種