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俄羅斯STR 集團(tuán)有限公司Mark RAMM介紹了《塑造-LED芯片形成內(nèi)部微反射器，提高出光效率的一種方式》主題報(bào)告。他表示，微型LED在極高電流密度下工作的光源，其器件自熱、由俄歇復(fù)合引起的效率下降和表面復(fù)合成為限制器件性能的主要因素。特別是當(dāng)器件尺寸減小時(shí)，表面復(fù)合導(dǎo)致-LED峰值效率向更高電流密度處偏移且數(shù)值降低。早期對(duì)-LED的研究主要集中在它們的電流調(diào)制特性上。直到最近，效率提高才成為-LED的研究熱點(diǎn)。通常，-LED的

碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia