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  • 中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究
    氮化物的范德華外延:基底結(jié)構(gòu)、多性能控制和紫外光電器件應(yīng)用Van der Waals Epitaxy of Nitrides: Substrate Construction, Multi-Properties Control and Ultraviolet Optoelectronic Device Application孫曉娟中科院長(zhǎng)春光機(jī)所研究員SUN XiaojuanProfessor of Changchun Institute of Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-19 14:58
  • 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研
    超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件Growth of ultra-wide band-gap two-dimensional hexagonal boron nitride for optoelectronic devices張興旺中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員ZHANG XingwangProfessor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
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    guansheng2023-05-19 14:21
  • 湯瀟:全溶液法沉積柔
    《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者:湯瀟,李曉航單位:Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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    limit2022-01-07 14:57
  • 周玉剛:基于Ag、Mg金
    《基于Ag、Mg金屬的GaN低吸收歐姆接觸研究與光電器件應(yīng)用》作者:周玉剛,潘賽,郭焱,金楠,許朝軍,張榮,鄭有炓單位:南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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    limit2022-01-06 11:46
  • 【視頻報(bào)告 2018】加
    加拿大滑鐵盧大學(xué)William WONG教授分享了《通過(guò)薄膜晶體管和III-V光電器件的異質(zhì)集成實(shí)現(xiàn)Micro-LED》研究報(bào)告。他介紹到,基于氮化鎵(GaN)基微光發(fā)射二極管(microleds)的新型顯示技術(shù)有望使下一代發(fā)射顯示器具有高亮度、低功耗和高分辨率,與現(xiàn)有的基于有機(jī)光發(fā)射二極管(OLEDs)的顯示技術(shù)相比。除了在OLED顯示器上的這些改進(jìn)之外,Micro-LED與薄膜晶體管(TFT)設(shè)備的集成為高亮度和高分辨率柔性顯示器提供了新的途徑。
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    limit2021-04-29 12:30
  • 深圳第三代半導(dǎo)體研究
    深圳第三代半導(dǎo)體研究院光電器件研發(fā)總監(jiān)蔣振宇帶來(lái)了紫外消毒手冊(cè)解讀之紫外消毒設(shè)備的精彩主題分享
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    limit2020-03-12 12:52
  • 【視頻報(bào)告】歐司朗銷
    歐司朗光電半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司銷售負(fù)責(zé)人邵嘉平做了題為超越照明 | 光電器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀、突破點(diǎn)及應(yīng)用趨勢(shì)的主題報(bào)告,分享了當(dāng)前超越照明發(fā)展趨勢(shì),他表示,照明的對(duì)于提高人們生活品質(zhì)的潛力正在不斷釋放,超越照明的應(yīng)用市場(chǎng)有巨大的增長(zhǎng)潛力,在農(nóng)業(yè)照明領(lǐng)域有很多的增長(zhǎng)機(jī)會(huì)。歐司朗關(guān)注以人為本的光,在紫外、舞臺(tái)、建筑、Micro/MiniLEDs、VCSELs等領(lǐng)域均在積極布局。
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    limit2020-02-01 15:40
  • 極智報(bào)告|瑞典查爾姆
    瑞典查爾姆斯理工大學(xué)副教授Jie SUN帶來(lái)了關(guān)于GaN光電器件CVD石墨烯透明電極研究進(jìn)展,讓與會(huì)代表拍手稱贊! 石墨烯傳統(tǒng)上是通過(guò)石墨機(jī)械剝落制備的,且大面積單層石墨烯的制備很有挑戰(zhàn)性。為此,化學(xué)氣相沉積(CVD)在過(guò)渡金屬上石墨烯最近被發(fā)展。自2009年以來(lái),在Chalmers我們已經(jīng)在金屬箔(Cu,Pt,Ta等)上生長(zhǎng)了單層石墨烯,在硅襯底上蒸鍍了金屬薄膜.9-9 CH4或C2H2作為反應(yīng)物,石墨烯通過(guò)商業(yè)直冷式Aixtron系統(tǒng)生長(zhǎng)。通過(guò)濕化學(xué)法蝕刻銅或更環(huán)保的電化學(xué)氣泡分層,石墨烯可以轉(zhuǎn)移到
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    limit2025-02-06 11:11
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