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  • 北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
    基于結(jié)終端擴展的kV級硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)
    55900
    guansheng2022-09-01 13:46
  • 中科院北京納米所胡衛(wèi)
    壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
    64400
    guansheng2022-09-01 12:22
  • 北京大學(xué)孫棟: 基于拓
    基于拓?fù)浒虢饘俚母咝阅芄怆娞綔y孫棟北京大學(xué)
    42200
    guansheng2022-09-01 12:04
  • 北京大學(xué)陳兆營：面向
    面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強*北京大學(xué)
    87800
    guansheng2022-09-01 11:23
  • 北方華創(chuàng)王顯剛：化合
    化合物半導(dǎo)體工藝設(shè)備解決方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王顯剛北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司LED及化合物半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展部總經(jīng)理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.
    57400
    limit2022-05-01 17:17
  • 許福軍：AlGaN基深紫
    《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
    34500
    limit2022-01-05 09:53
  • 【視頻報告 2018】北
    北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長和不同的基質(zhì)。測量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為LEDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運和重組過程。綜合量子漂移-擴散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機理。
    86200
    limit2021-04-29 12:29
  • 【視頻報告 2018】北
    北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司產(chǎn)品總監(jiān)董博宇帶來了《磁控濺射制備的ITO薄膜在LED領(lǐng)域中的開發(fā)及應(yīng)用》主題報告。
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。
    84400
    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】北
    垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點的明確證據(jù)。
    65400
    limit2021-04-29 12:05
  • 【視頻報告 2019】湖
    湖北深紫科技有限公司市場技術(shù)總監(jiān)陳景文分享《深紫外UVC-LED殺菌方案深度設(shè)計》。
    85800
    limit2021-04-29 11:20
  • 【視頻報告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
    125400
    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告】北京工業(yè)
    北京工業(yè)大學(xué)教授郭偉玲帶來了高壓LED及其可靠性研究的報告，介紹了當(dāng)前高壓LED及其可靠性的最新研究成果。
    322900
    limit2020-02-03 15:41
  • 【視頻報告】北京大學(xué)
    北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
    132100
    limit2020-02-02 16:27
  • 北京集創(chuàng)北方科技股份
    北京集創(chuàng)北方科技股份有限公司產(chǎn)品經(jīng)理黃紋綱做了題為Mini LED發(fā)展方向與集創(chuàng)解決方案的報告，分享了Mini LED顯示與集創(chuàng)解決方案。報告指出，當(dāng)前，Mini LED存在著功耗與發(fā)熱、成本高、PCB設(shè)計、顯示效果等方面的難點。未來技術(shù)將向微安級驅(qū)動、更高集成度、高速通信接口、整合控制方案、主動式驅(qū)動等方向發(fā)展。
    144200
    limit2020-02-01 14:16
  • 河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶
    河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶：低毒性量子點復(fù)合材料LED器件應(yīng)用
    122200
    limit2019-12-31 10:11
  • 湖北深紫科技陳景文：
    湖北深紫科技陳景文：深紫外UVC-LED殺菌方案深度設(shè)計
    240700
    limit2019-05-31 17:26
  • 【視頻報告 2018】北
    北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲教授介紹了《高壓LED和微顯示芯片設(shè)計及制備技術(shù)》研究報告。
    133300
    limit2019-02-01 12:30
  • 極智報告|北京工業(yè)大
    北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點阿實驗室教授郭偉玲分享了光功率計算對LED熱阻測試的影響主題報告。她表示，熱阻是衡量LED性能的重要參數(shù)，在LED熱阻測試中，其電能不僅轉(zhuǎn)化成熱能，還有20%或更多的能量轉(zhuǎn)化為光能。而目前大部分的熱阻測試儀并非專門為測試LED設(shè)計，且對是否計算光耗散功率的標(biāo)準(zhǔn)并不統(tǒng)一。　　通過標(biāo)準(zhǔn)電學(xué)參數(shù)法分別對不同封裝（仿流明，SMD2835，XB-D封裝）相同輸出功率（1W）的正裝LED；相同封裝（S
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    limit2018-02-01 11:08
  • 極智報告|易美芯光(北
    易美芯光(北京)科技有限公司首席技術(shù)官劉國旭博士分享了 如何實現(xiàn)更高光品質(zhì)與更健康白光LED的主題報告。劉國旭博士表示，高品質(zhì)白光LED照明體現(xiàn)在舒適性、真實性、安全性、健康性四個方面。即具備優(yōu)異的視覺舒適性（適當(dāng)?shù)牧炼群土炼染鶆蛐?，無閃爍和眩光），高顯色性，用眼安全和迎合晝夜節(jié)律調(diào)節(jié)等滿足消費者心理和生理健康。從LED封裝的角度來說，LED光源應(yīng)實現(xiàn)更高的顯色指數(shù)，即光源光譜更接近于太陽光或白熾燈標(biāo)準(zhǔn)光源、光
    311200
    limit2018-02-01 11:04
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