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基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University

半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)Status and Challenge of Semiconductor Material Industry楊德仁中國科學(xué)院院士、浙大寧波理工學(xué)院校長、浙江大學(xué)硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、教授YANG DerenAcademician of Chinese Academy of Sciences,President of NingboTech University, Professor and Director of State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor Materials, Zhejiang University

氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation

第四代半導(dǎo)體材料平坦化研究進(jìn)展Research Progress on Planarization of Fourth Generation Semiconductor Materials趙志強(qiáng)北京艾姆希半導(dǎo)體科技有限公司銷售總監(jiān)ZHAO ZhiqiangSales Director of MCF Technologies Ltd.

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

全色顯示材料與3D芯片集成技術(shù)Integrated technology of panchromatic display materials and 3D chips范謙東南大學(xué)下一代半導(dǎo)體材料研究所研究員

新型寬禁帶壓電半導(dǎo)體材料-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應(yīng)用-Ga2O3: an Emerging Wide Bandgap Piezoelectric Semiconductor for Application in Radio Frequency Resonators王鋼中山大學(xué)佛山研究院院長，中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任、教授WANG GangProfessor and Dean of Foshan Institute of Sun Yat-Sen University; Director of the National-Local Joint Engineering Laboratory of Semiconductor

一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運(yùn)成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院

《寬禁帶半導(dǎo)體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學(xué)材料學(xué)院

報(bào)告嘉賓：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報(bào)告：《銻化物半導(dǎo)體材料及器件》

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)做了題為金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件新進(jìn)展的主題報(bào)告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導(dǎo)率極高，抗輻照等優(yōu)點(diǎn)。在熱沉，大功率、高頻器件，光學(xué)窗口，量子信息等領(lǐng)域具有極大應(yīng)用潛力。報(bào)告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示，實(shí)現(xiàn)室溫下高電離率的體摻