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基于光響應(yīng)聚合物的Micro-LED可編程巨量組裝技術(shù)研究進展Research Progress of the Micro-LED Programmable Massive Assembly Technology Based on Photoresponsive Polymers龔政廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所教授，新型顯示團隊負(fù)責(zé)人Gong ZhengProfessor of the Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Head of the Frontier Display Technology Team

當(dāng)前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風(fēng)險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風(fēng)險的重要性不言而喻?；诘谌雽?dǎo)體氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海，雙碳戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)

銻化物超晶格紅外探測器的MOCVD生長技術(shù)研究吳東海中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

用于片上通信的日盲波段光電集成芯片何瑞，魏同波*，王軍喜，李晉閩中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員陳雄斌帶來了可見光通信技術(shù)及應(yīng)用場景的思考的精彩主題分享

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所高級工程師宋昌斌分享了《水產(chǎn)養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報告。他詳細闡述了LED光源對循環(huán)水養(yǎng)殖系統(tǒng)的重要性，介紹了養(yǎng)殖車間光照的現(xiàn)狀，并根據(jù)魚類對光環(huán)境三要素一般的適應(yīng)需求規(guī)律、針對燈具在特定使用環(huán)境下的要求進行了分析與建議，對水產(chǎn)養(yǎng)殖車間如何正確選擇LED燈具具有指導(dǎo)意義。 　　據(jù)了解，我國海淡水產(chǎn)養(yǎng)殖主要是池塘、網(wǎng)箱、湖面養(yǎng)殖等方式，這些室外天然養(yǎng)殖依靠陽光。中國政府明確，到

隨著固體照明技術(shù)的發(fā)展，可見光通信（VLC）近年來受到了廣泛的關(guān)注。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所馬占紅做了題為適用于可見光通信高帶寬微發(fā)光二極管的可靠性分析的報告，分享了制備帶寬高達1GHz的氮化鎵基微LED的研究，并研究了其在15kA/cm2 1kHz交流電應(yīng)力下的可靠性。與傳統(tǒng)的射頻無線通信相比，VLC具有保密性高，無電磁干擾和無頻譜限制等優(yōu)點。它也被認(rèn)為是未來無線通信的潛在接入選擇。近年來，微發(fā)光二極管（Micro-LED）已經(jīng)可

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所高級工程師宋昌斌分享了《水產(chǎn)養(yǎng)殖業(yè)LED光源選擇的建議》主題報告。他詳細闡述了LED光源對循環(huán)水養(yǎng)殖系統(tǒng)

2012年6月18日，中共中央政治局常委、國務(wù)院副總理李克強到中國科學(xué)院半導(dǎo)體所考察。了解半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室產(chǎn)品研發(fā)和創(chuàng)新情況。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所梁萌分享了“二位緩沖層氮化物異質(zhì)外延”研究報告；他介紹說，石墨烯緩沖層氮化物異質(zhì)外延，初步實現(xiàn)了石墨烯界面氮化物成核，石墨烯邊界與Bridge site，將優(yōu)先成核位置。我們在石墨烯上來進行一個類似納米柱上的生長，做了一些研究，通過調(diào)整晶核生長得到納米柱的結(jié)構(gòu)，在圖形化的襯底上也長出來一些趨向比較一致的石墨烯的納米柱，但是這根趨向一致性主要是硅的襯底，因為石墨烯是單純的材料，石墨烯生長會受到襯底的影響，所以硅是單層多層，單層的話趨向是非常一致的，層數(shù)變多會有一定的紊亂，加氮受到襯底的

河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應(yīng)晶體管的射頻功率性能評價的報告，結(jié)合相關(guān)的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設(shè)備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構(gòu)造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。

該視頻為：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報告。