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  • 江曉松：寬禁帶半導(dǎo)體
    《寬禁帶半導(dǎo)體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術(shù)有限公司
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    limit2022-01-05 15:28
  • 劉斌：量子點/氮化物
    《量子點/氮化物半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的Micro-LED器件制備與應(yīng)用》作者：劉斌，許非凡，余俊馳，陶濤，陸海，陳敦軍，張榮單位：南京大
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    limit2022-01-05 11:31
  • 黃豐：寬禁帶半導(dǎo)體材
    《寬禁帶半導(dǎo)體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學(xué)材料學(xué)院
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    limit2022-01-05 11:13
  • 黎大兵：AlN基寬禁帶
    《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長春光機所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學(xué)院長春光機所、中國科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導(dǎo)體
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    limit2022-01-05 09:19
  • 【視頻報告 2018】基
    深圳基本半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設(shè)計引入到量產(chǎn)工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術(shù)IP和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗。
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    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】中
    中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機臺設(shè)計及外延生長的挑
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】河
    河北半導(dǎo)體研究所高級工程師的李靜強分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報告。
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報告 2018】大
    深圳大道半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)李剛帶來了薄膜倒裝芯片及其芯片級封裝與應(yīng)用的報告，分享了一系列制備薄膜倒裝芯片的關(guān)
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    limit2021-04-29 12:19
  • 【視頻報告 2018】荷
    荷蘭代爾夫特理工大學(xué)高壓能量系統(tǒng)的性能部門教授Rob ROSS做了關(guān)于基于浴盆曲線類型和相似性的半導(dǎo)體批量性能的報告，帶來了其在
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    limit2021-04-29 12:12
  • 【視頻報告 2018】中
    陳雄斌研究員在報告中介紹了單向710Mbps傳輸VLC系統(tǒng)和對稱的100Mbps互聯(lián)網(wǎng)接入系統(tǒng)。他表示，可見光通信這項無線光通信新技術(shù)比
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    limit2021-04-29 12:08
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體所張翔帶來了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報告，分享了該領(lǐng)域的研究動態(tài)以及研究成果。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報告 2019】中
    中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員，科技部重點研發(fā)計劃專項項目負責(zé)人王軍喜分享《深紫外LED研發(fā)進展及國家重點研發(fā)計劃深紫外項目》
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    limit2021-04-29 11:02
  • 【視頻報告 2019】沙
    沙特國王科技大學(xué)教授李曉航分享了《半導(dǎo)體深紫外激光LED和設(shè)計軟件》研究報告。
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    limit2021-04-29 11:00
  • 視頻 2019--國家半導(dǎo)
    2019年是國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立十五周年重要年份，聯(lián)盟吳玲理事長寄語致謝并收到國家發(fā)展和改革委員會應(yīng)對氣候變
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    limit2021-04-29 10:56
  • 【視頻報告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過局部調(diào)控摻雜類型改善了DUV LED的電流擴展，并揭示了器件機理；此外，針對GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進行了詳細研究，系統(tǒng)探究了各種
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告 2019】南
    南京大學(xué)教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導(dǎo)體紫外光電探測器及其應(yīng)用進展。介紹了基于III族氮化物半導(dǎo)體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設(shè)計和制造方面的最新工作。
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報告 2019】蘇
    報告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場總監(jiān)朱丹丹博士 報告主題：《針對大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》
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    limit2021-04-29 10:26
  • 【視頻報告 2019】中
    報告嘉賓：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所 研究員 黃勇 主題報告：《銻化物半導(dǎo)體材料及器件》
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  • 【視頻報告 2019】Ism
    視頻簡介：下一代半導(dǎo)體器件外延制備前期的襯底清理技術(shù) In-situ Wafer Cleaning for Pre-Epitaxial Deposition for Next Generation Semiconductor DevicesIsmail I. KASHKOUSH美國NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官 Ismail I. KASHKOUSHChief Technology Officer (CTO) of NAURA-Akrion, Inc., USA
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    limit2021-04-29 10:23
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